یکی از سازندگان مادربرد به تازگی از طراحی جدید خود برای اسلات‌های رم پرده برداشته و ادعا می‌کند اسلات رم خالی باعث ایجاد تداخل و کاهش پایداری سیستم می‌شود. پین‌های اتصال این اسلات‌های جدید که حدود 40 درصد کوتاه‌تر از اسلات‌های استاندارد رم هستند، با کاهش تداخلات الکتریکی ناشی از اسلات‌های خالی، فرکانس قابل دستیابی توسط حافظه رم را تا 400 مگاترنسفر بر ثانیه (MT/s) افزایش می‌دهند.
Der8auer اخیراً ویدئویی از بررسی این فناوری منتشر کرده که جزئیات بیشتری از این طراحی جدید و تأثیر آن بر پایداری حافظه رم در سرعت‌های بالا را توضیح می‌دهد.
تاثیر منفی اسلات رم خالی بر پایداری و اورکلاکینگ رم
این ویدئو حاوی تصاویری است که نشان می‌دهد اسلات‌های NitroPath در مادربردهای دو اسلاته‌ی پیشرفته ایسوس، مانند مدل آتی ROG Maximus Z890 Apex، وجود ندارد. این امر در نگاه اول عجیب به نظر می‌رسد، زیرا مادربردهای Maximus Apex به طور خاص برای اورکلاکینگ طراحی شده‌اند. اما بررسی‌های بیشتر نشان می‌دهد که این اسلات‌ها در مادربردهای دو اسلاته تأثیر چندانی نخواهند داشت و بیشتر برای مادربردهای دارای چهار اسلات رم طراحی شده‌اند.
اسلات‌های NitroPath به دلیل کوتاه‌تر بودن، کنتاکت‌های فلزی را که به پین‌های ماژول‌های رم متصل می‌شوند، کاهش داده و به جای اینکه این تماس‌ها به سمت بالا خم شوند، به سمت پایین خم می‌شوند. ظاهراً این تغییر طراحی موجب می‌شود تداخل الکتریکی که از اسلات‌های خالی ناشی می‌شود، کاهش یابد. ادعا شده این تداخل الکتریکی، خصوصاً در مادربردهای چهار اسلاته با دو اسلات خالی، می‌تواند موجب ناپایداری عملکرد رم در سرعت‌های بالا شود.
به همین دلیل، در برخی سرورها از ماکت ماژول (dummy) استفاده می‌شود تا اسلات‌های خالی پر شده و از تداخل‌های ناخواسته جلوگیری شود. تصاویر ارائه‌شده در ویدئو نشان می‌دهد که چگونه اسلات‌های NitroPath می‌توانند با کاهش این تداخلات، عملکرد رم را در سرعت‌های بالا بهبود دهند.
در آزمایشی که در این ویدئو به نمایش گذاشته شد، عملکرد رم در دو حالت استفاده از اسلات‌های استاندارد و اسلات‌های NitroPath در سرعت‌های بسیار بالا مقایسه شده است. در سرعت 10,000 MT/s، اسلات‌های استاندارد مشکل‌ساز می‌شوند. این اختلال به حدی بود که سیستم ناپایدار شده و احتمال داشت بوت نشود. اما اسلات‌های NitroPath با وجود کاهش کیفیت سیگنال، همچنان قادر به حفظ پایداری سیستم بودند.
اگر توضیحات فنی موجود در ویدئو پیچیده به نظر می‌رسد، این خلاصه ساده‌تر می‌تواند کمک کند: اسلات‌های رم NitroPath پین‌های کوتاه‌تری دارند، بنابراین وقتی خالی باشند، تداخل الکتریکی کمتری ایجاد می‌کنند که می‌تواند در سرعت‌های بالا باعث ناپایداری سیستم شود. به همین دلیل، ایسوس احتمالاً این فناوری جدید را در مادربردهای دو اسلاته سطح بالای خود استفاده نکرده است، چون در این نوع مادربردها نیازی به نگرانی درباره تداخلات ناشی از اسلات‌های خالی وجود ندارد.
این ادعای ایسوس و Der8auer کاملاً جدید است و باید منتظر ماند و دید دیگران درباره آن چه می‌گویند. همچنین همین ویدئو نشان می‌دهد بحث تداخل الکتریکی ناشی از اسلات‌های خالی در سرعت‌های پایین مطرح نیست و صرفاً در سرعت‌های بسیار بالا اهمیت پیدا می‌کند.
در همین رابطه بخوانید:
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت