TeamGroup به تازگی از حافظه‌های رم جدید سری Eco رونمایی کرده که با هدف کاهش ردپای کربن و سازگاری با محیط زیست تولید می‌شوند. به عنوان مثال، هیت سینک رم‌های جدید T-Force Vulcan Eco DDR5 با استفاده از آلومینیوم بازیافتی ساخته شده است.

SK hynix به تازگی سریع‌ترین حافظه DRAM جهان را با سرعت 9.6 گیگابیت بر ثانیه به بازار عرضه کرده است. بر اساس اعلام SK hynix حافظه LPDDR5T از تراشه اسنپدراگون 8 نسل 3 پشتیبانی کرده و به نظر می‌آید گوشی‌های مجهز به این تراشه با سریع‌ترین حافظه DRAM روانه بازار خواهند شد. جزئیات بیشتر را در شهر سخت افزار بخوانید.

برند نام‌آشنای جی اسکیل از کیت‌های حافظه DDR5 پرسرعت جدید برای علاقه‌مندان به پردازنده‌های نسل چهاردهم اینتل رونمایی کرده است. کیت‌های حافظه DDR5 جدید G.SKILL از سری Trident Z5 RGB بوده و از فرکانس 8400 و 8600 مگاهرتز با تأخیر بسیار خوب CL40 بهره می‌برند. در ادامه برای آشنایی با کیت‌های حافظه رم DDR5 جدید G.SKILL با شهر سخت افزار همراه شوید.

سامسونگ به تازگی و در رویداد Memory Tech Day 2023 به معرفی نسل بعدی حافظه‌های خود پرداخته است. در این رویداد حافظه HBM3E با سرعت قابل توجه 9.8 گیگابیت بر ثانیه و حافظه GDDR7 با سرعت 32 گیگابیت در ثانیه معرفی شدند. علاوه بر این حافظه LPDDR5X هم با سرعت 7.5 گیگابیت بر ثانیه به نمایش گذاشته شد.

پس از انتشار شایعات و خبرهای مختلف در مورد نسل جدید از تراشه‌های HBM، سامسونگ امروز به صورت رسمی تایید کرد که تراشه‌های در استاندارد HBM4 خود را در سال 2025 تولید و عرضه خواهد کرد. این شرکت امروز برخی از مشخصات این نسل از حافظه‌های با پهنای باند بالای خود را هم اعلام کرد.

کورسیر به تازگی جدیدترین ماژول‌های حافظه رم پرچم‌دار خود را با ویژگی‌های جالب روانه بازار کرده است. این سری DOMINATOR Titanium DDR5 نام دارد و کیت‌های بسیار پرسرعت 8266 مگاهرتزی  با حداکثر ظرفیت 192 گیگابایت را شامل می شود. در ادامه می‌توانید اطلاعات جالب و قیمت ماژول‌های حرفه‌ای DOMINATOR Titanium کورسیر را در شهر سخت افزار بخوانید.

سامسونگ امروز از ماژول حافظه جدید LPCAMM خود به عنوان رقیبی برای ماژول‌های SO-DIMM مورد استفاده در لپ تاپ‌ها رونمایی کرد. این ماژول‌های جدید به تراشه‌های LPDDR مجهز هستند و مزایایی چون اشغال فضای کمتر دارند. در ادامه می‌توانید با حافظه رم LPCAMM سامسونگ آشنا شوید.

ظاهراً سامسونگ و SK Hynix سرگرم توسعه نسل بعدی حافظه HBM4 بوده و در همین رابطه جزئیات جدیدی از مشخصات این حافظه به بیرون درز کرده است. به نظر می‌آید حافظه HBM4 دارای گذرگاه 2048 بیتی بوده که می‌تواند پهنای باند حافظه را تا دو برابر افزایش دهد. اطلاعات بیشتر را در ادامه این نوشتار از شهر سخت افزار بخوانید.

احتمالاً می دانید چیپست بکار رفته در گوشی سری میت 60 پرو هواوی با وجود تحریم‌های کمر شکن علیه این کمپانی و سازندگان تراشه چینی، موجب حیرت کارشناسان غربی شده است. در این بین استفاده از تراشه‌های حافظه کره‌ای Hynix در گوشی جدید هواوی به شدت پرسش بر انگیز شده بود که حالا یک جواب برای آن وجود دارد.

سامسونگ الکترونیکس از اولین حافظه DRAM ۳۲ گیگابایتی DDR5 رونمایی کرد که علاوه بر مصرف انرژی کم‌تر و هموار ساختن راه برای تولید ماژول‌های رم ۱۲۸ گیگابایتی، نیاز به استفاده از فرایند تولید Through Silicon Via یا TSV برطرف می‌کند.

SK Hynix از نسل جدید حافظه‌های DRAM نوع HBM خود با نام HBM3E خبر داده که به شکل خاص برای استفاده در صنعت هوش مصنوعی طراحی و تولید شده‌اند. بر اساس بیانیه منتشر شده توسط SK Hynix، تراشه‌های جدید HBM3E دارای سرعت پردازش اطلاعات 1.15 ترابایت در ثانیه هستند.

اوایل سال جاری میلادی بود که شرکت SK Hynix اعلام کرد توانسته نسل جدیدی از حافظه‌های رم LPDDR5T را تولید کند که دارای سرعت خارق العاده 9.6 گیگابیت بر ثانیه هستند. در آن زمان نسخه‌های اولیه از این تراشه‌ها برای مدیاتک ارسال شد که اکنون این شرکت سرعت عالی آن ها را تایید و اعلام کرده این محصولات سریع‌ترین حافظه‌های رم موبایلی جهان هستند.