حافظه ZAM اینتل که با عنوان ZAM Memory نیز شناخته میشود اخیراً با استقبال قابل توجهی روبرو شده است. این موضوع سبب شد که اینتل به طور غیرمنتظره نمونه اولیه این فناوری را تولید و از آن رونمایی کند. اینتل و شرکای آن تاکنون ادعاهای امیدوار کنندهای در مورد این حافظه مطرح کردهاند و هم اکنون روی فناوری Z-Angle Memory کار میکنند تا محدودیتهای حرارتی و محاسباتی راهکارهای فعلی همچون حافظههای HBM را برطرف کنند.
در حالی که اینتل برای چندین دهه از بازار DRAM خارج بوده است، اخیراً با همکاری شرکت Saimemory وارد عرصهای جدید شده و راهکاری به نام Z-Angle Memory (ZAM) را معرفی کرده است. این حافظهها در صورتی که وارد مرحله تجاری سازی شوند انحصار حافظههای HBM را به چالش خواهند کشید و به عنوان رقیبی جدی برای آنها راهی بازار میشوند.
در حالی که ایده تولید حافظههای ZAM تنها چند هفته پیش از سوی اینتل و شرکای آن مطرح شد اما براساس گزارش Wccftech، اینتل به سرعت نمونه اولیه این فناوری را به نمایش گذاشته است. رسانههای ژاپنی ساعاتی پیش گزارش دادند نخستین معرفی رسمی حافظههای ZAM در رویداد Intel Connection Japan 2026 انجام شده است. تمرکز اصلی اینتل در این ارائه بر این بود که معماری Z-Angle و حافظههای ZAM چگونه میتوانند محدودیتهای عملکردی و حرارتی موجود در حافظههای موجود در بازار را کاهش دهند.
شرکت Saimemory یکی از زیرمجموعههای سافت بانک است و اینتل در یکی از اسلایدهای این ارائه که عنوان AI Supercycle را داشت اعلام کرد که با این دو مجموعه در گسترش معماری Z-Angle و حافظههای ZAM شراکت دارد. تا پیش از این، ZAM صرفاً در قالب مقالات پژوهشی و بیانیههای مطبوعاتی مطرح شده بود؛ اما اینتل اکنون نشان داده است در پیشبرد این فناوری جدی است و توانسته به سرعت نمونه اولیه آن را تولید کند. اینتل همچنین در این رویداد نشان داد که این فناوری چگونه عملیاتی خواهد شد و چگونه قادر است مشکلات فناوریهای موجود در زمینه تولید تراشههای حافظه را از بین ببرد.
در این رویداد که با حضور چندی از مدیران ارشد اینتل برگزار شد این شرکت نشان داد بزرگترین مزیت حافظههای ZAM قابلیتهای حرارتی آن است. به گفته اینتل دیگر قابلیت برجسته این راهکار حافظه، استفاده از توپولوژی اتصال پلکانی یا Staggered Interconnect Topology است که در آن اتصالات به صورت مورب به درون Die Stack هدایت میشوند، نه اینکه مستقیماً به سمت پایین بروند. اینتل در این ارائه با نمایش تصویری با عنوان ZAM (Z-Angle Memory) اجزای مختلف این حافظهها را به نمایش گذاشت.
در حال حاضر، نقش دقیق اینتل در پروژه ZAM به طور کامل مشخص نشده است، اما طبق مطالب ارائه شده در این رویداد، این شرکت مسئول «سرمایهگذاری اولیه و تصمیمات راهبردی» خواهد بود. ادعاهای متعددی درباره نحوه رقابت حافظههای Z-Angle با HBM مطرح شده است، اما اینتل تاکنون مدعی شده است که استفاده از این تراشههای جدید 40 تا 50 درصد کاهش مصرف انرژی، سادهتر شدن فرآیند تولید و همچنین افزایش ظرفیت ذخیرهسازی اطلاعات در هر تراشه تا 512 گیگابایت را به دنبال خواهد داشت. با توجه به حضور مدیران ارشد اینتل در این مراسم، به نظر میرسد این پروژه با هدف رقابت مستقیم با تراشههای HBM طراحی شده است.
با توجه به اوجگیری تقاضای جهانی برای DRAM در پی توسعه زیرساختهای هوش مصنوعی و همزمانی آن با بحران کمبود تراشه، اکنون زمان بسیار مناسبی برای اینتل است تا با فناوری Z-Angle خود وارد بازار حافظه شود. در شرایطی که تولیدکنندگان سنتی پاسخگوی نیاز بازار نیستند و HBM با محدودیت ظرفیت و مصرف انرژی بالا مواجه است، ZAM میتواند خود را به عنوان یک جایگزین جدی مطرح کند. علاوه بر این، همکاری با سافت بانک و بهرهگیری از فناوریهایی مانند EMIB، به اینتل اجازه میدهد کنترل بیشتری بر این تراشهها و یکپارچگی آنها با شتاب دهندههای هوش مصنوعی داشته باشد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت