شرکت Micron به تازگی از نسل جدید تراشه‌های حافظه DDR5 خود رونمایی کرده است که با استفاده از لیتوگرافی EUV و فرایند ساخت جدید جدید 1γ (1 گاما) این شرکت، امکان ساخت حافظه‌های DDR5 با سرعت 9200MT/s و ۲۰ درصد مصرف انرژی کمتر را فراهم ساخته است.
شرکت Micron، یکی از سه تولید کننده بزرگ تراشه‌های حافظه در جهان، سرانجام فناوری لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) را به گره‌های تولید حافظه DRAM خود وارد کرده است. این اقدام با آغاز تولید آزمایشی گره جدید 1γ (1-گاما) این شرکت صورت گرفته است.
برخلاف رقبایی مانند سامسونگ و اس‌کی هاینیکس، Micron تاکنون عجله‌ای برای استفاده از لیتوگرافی EUV در تولید DRAM نداشت و به همین دلیل، آخرین شرکت در این صنعت است که این فناوری پیشرفته را به کار می‌گیرد. Micron در سال جاری تولید آزمایشی حافظه DRAM را با فرآیند ساخت γ1 آغاز کرده و برنامه‌ریزی کرده است که این فرآیند در سال آینده به مرحله تولید انبوه برسد.
تفاوت رویکرد Micron با رقبا
در حال حاضر، تولید تراشه‌های حافظه Micron به فناوری‌هایی وابسته است که تنها از لیتوگرافی فرابنفش عمیق (DUV) استفاده می‌کنند. در مقابل، شرکت‌های سامسونگ و اس‌کی هاینیکس سرمایه‌گذاری سنگینی روی ابزارهای لیتوگرافی EUV انجام داده‌اند که هر کدام حدود 200 میلیون دلار هزینه دارند. این ابزارها، اگرچه گران‌قیمت هستند، در نهایت هزینه‌های تولید را کاهش می‌دهند. Micron تا به امروز با استفاده از روش چند الگویی (Multi Patterning) استاندارد DUV توانسته DRAMهایی رقابتی از نظر هزینه و عملکرد در گره‌های 1α و ß1 خود تولید کند.
هرچند Micron در استفاده از EUV نسبت به سامسونگ و اس‌کی هاینیکس عقب‌تر است، اما نتایج اولیه آن نویدبخش به نظر می‌رسد. سانجای مهرترا، مدیرعامل Micron، در کنفرانس تلفنی با سرمایه‌گذاران و تحلیل‌گران مالی اعلام کرد:
تولید آزمایشی DRAM 1γ (1-گاما) با استفاده از لیتوگرافی EUV به خوبی پیش می‌رود و ما در مسیر تولید انبوه در سال 2025 هستیم.
مزیت رقابتی با کوچک‌ترین سلول DRAM
Micron امید زیادی به فناوری فرآیند 1γ خود دارد و انتظار دارد که با بهره‌گیری از EUV بتواند کوچک‌ترین سلول DRAM صنعت را بسازد. این دستاورد می‌تواند مزیت رقابتی بزرگی برای تراشه‌های حافظه آینده این شرکت باشد، زیرا امکان تولید دستگاه‌های حافظه ارزان‌تر و با بهره‌وری انرژی بالاتر را فراهم می‌کند. لیتوگرافی EUV نقش کلیدی در تحقق این هدف ایفا خواهد کرد. با این حال، هنوز مشخص نیست که استفاده از EUV چگونه بر عملکرد DRAMهای Micron تأثیر خواهد گذاشت.
فرآیند ساخت DRAM 1γ با استفاده از EUV در مرکز عملیات Micron در هیروشیما، ژاپن، در حال توسعه است. اولین دستگاه‌های حافظه 1γ نیز در همین مکان به عنوان بخشی از برنامه تولید آزمایشی ساخته شده‌اند.
Micron فراتر از فناوری‌های تولید 1γ و δ1 (1-دلتا) مبتنی بر EUV، در حال بررسی معماری‌های DRAM سه‌بعدی و استفاده از EUV با NA بالا (High-NA EUV) برای تولید DRAM در سال‌های آینده است.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت