سامسونگ به عنوان بزرگ‌ترین تولید کننده تراشه‌های حافظه ساخت نسل جدید حافظه‌های DDR5 DRAM خود با فناوری ساخت تراشه 12 نانومتری را آغاز کرده است. این تراشه‌های حافظه به سرعت بالای تا 7.2 گیگابیت بر ثانیه دست پیدا می‌کنند. با ادامه خبر در شهر سخت افزار همراه باشید.
سامسونگ نسل جدید حافظه‌های رم DDR5 DRAM را با AMD تایید کرده تا در آغاز سال آینده میلادی تولید انبوه آن‌ها را آغاز نماید. حافظه‌های رم جدید با فناوری ساخت تراشه 12 نانومتری تولید می‌شوند. سامسونگ برای اولین بار به طور خاص به استفاده از نود 12 نانومتری در ساخت تراشه‌های حافظه اشاره کرده است.
در همین رابطه بخوانید:
- سرعت حیرت انگیز تراشه‌های حافظه GDDR7 سامسونگ
- اولین تراشه حافظه LPDDR5X جهان با فناوری HKMG توسط SK Hynix معرفی شد
تراشه 12 نانومتری DDR5 DRAM سامسونگ
بسیاری از سازندگان تراشه حافظه مانند SK Hynix و مایکرون پیش از این برای اشاره به فناوری ساخت محصولات خود از عبارت کلاس 10 نانومتری استفاده می‌کنند که می‌تواند فناوری ساخت بین 10 تا 19 نانومتری را شامل شود. حال سامسونگ با اشاره به فناوری ساخت تراشه 12 نانومتری، می‌خواهید برتری خود نسبت به رقبا را به رخ بکشد.
با این وجود اندازه واقعی ترانزیستورها یا تراکم قرارگیری آن‌ها روی تراشه بدون مقایسه نظیر به نظیر کار آسانی نیست. با این حال سامسونگ قصد دارد با اشاره دقیق به فناوری ساخت تراشه خود، محصولات خود را بهتر برای تبلیغ کند.
سامسونگ گفته برای حافظه 12 نانومتری DDR5 DRAM خود از ماده جدیدی استفاده کرده تا ظرفیت خازن‌ها را افزایش دهد. این شرکت همچنین ادعا کرده با به کار بستن لیتوگرافی فرابنفش EUV به بیشترین تراکم در بین رقبای خود دست یافته است.
تراشه‌های حافظه جدید سامسونگ می‌توانند به سرعت 7.2 گیگابیت بر ثانیه دست پیدا نمایند و 60 گیگابایت داده را در هر ثانیه انتقال دهند. مصرف انرژی نیز تا 23 درصد نسبت به نسل‌های قبل بهینه شده است.
سامسونگ قصد دارد محصولات بیشتری را در کلاس DRAM های 12 نانومتری خود برای کاربردهای دیتاسنتر و هوش مصنوعی عرضه نماید.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت