شرکت سامسونگ که در حال حاضر عنوان بزرگترین سازنده محصولات و تراشههای مربوط به حافظه را در اختیار دارد، روز گذشته از ماژولهای حافظه DDR5 با ظرفیت 512 گیگابایت رونمایی کرد. این حافظههای رم جدید که به سرعت خارقالعاده 7.2 گیگابایت بر ثانیه دست پیدا میکنند، تا پایان سال جاری میلادی به تولید انبوه خواهند رسید.
گفته میشود که فناوری DDR5 تازه سامسونگ در چهار حوزه جدید نسبت به نسل قبلی ماژولها حافظه یعنی DDR4، بهبود پیدا کرده است؛ عملکرد کلی، سرعت، ظرفیت و مصرف انرژی. شرکت کرهای هدف خود از ساخت و توسعه ماژولهای جدید را درخواست روزافزون دیتابیسها برای افزایش ظرفیت و سرعت انتقال اعلام کرده است. هدفی که با DDR5 قطعاً محقق خواهد شد.
برای دستیابی به ظرفیت 512 گیگابایتی، سامسونگ هشت لایه تراشه DRAM را روی هم قرار داده که در 2 کانال متفاوت تقسیم شدهاند. سامسونگ همچنین به کمک یک فناوری تولید وافر نازک، فاصله بین لایهها را تا 40 درصد کاهش داده تا ارتفاع این ماژول حافظه تنها یک میلیمتر باشد. در این ماژول حافظه DDR5، گردش هوا نیز آسانتر شده و سیستم خنککننده بهتر کار میکند.
نسل جدید حافظههای رم DDR5 سامسونگ رکورد سرعت را جابهجا کردهاند و هماکنون میتوانند در ولتاژ تنها 1.1 ولت، به سرعت 7200 مگابایت بر ثانیه دست پیدا کنند. بر اساس این عملکرد، ماژولهای DDR5 جدید سرعتی 2.2 برابر و ظرفیت 2 برابری نسبت به بهترین DDR4ها دارند و در ولتاژ پایینتری کار میکنند.
باس حافظه نیز در حافظههای DDR5 تا 18 درصد بهینهتر عمل میکند؛ این عملکرد بهینه به لطف فناوری PMIC برای کاهش ولتاژ حاصل شده است. از دیگر خصوصیات رمهای 512 گیگابایتی DDR5 سامسونگ میتوان به فناوری HKMG و کاهش خطا با فناوری ECC اشاره کرد که قابل اطمینان بودن و امنیت پردازش دادهها را تضمین میکنند.
سامسونگ گفته که در عدد 512 گیگابایت متوقف نخواهد شد و قصد دارد ماژولهای حافظه DDR5 خود را برای نسل بعدی سرورها، با ظرفیتهای ترابایتی به بازار بفرستد. انتظار میرود که DDR5، تا سال 2024 به استاندارد اصلی مورد استفاده در این حوزه از جهان فناوری تبدیل شود.
در همین رابطه بخوانید:
- سامسونگ ساخت ماژولهای حافظه 768 گیگابایتی DDR5 را ممکن کرد
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت