سامسونگ که همچنان به نوآوری خود در عرصه ذخیرهسازی ادامه میدهد، روز گذشته اعلام کرد که تولید انبوه یک تراشه حافظه ترکیبی را آغاز کرده است که میتواند با ادغام خصوصیات نسل جدید حافظههای UFS 3.1 با حافظه رم LPDDR5، تحولی مهم در امر ذخیرهسازی و عملکرد گوشیهای هوشمند به وجود آورد.
با توجه به ارزانقیمت بودن، بهینه بودن و سریع بودن حافظههای UFS 3.1، ترکیب آنها با فناوری LPDDR5 باعث میشود تا شرکت کرهای قادر باشد طیف بیشتری از محصولات خود را به رمهای سریع مجهز کند و عملکرد گوشیهای میان رده خود را به حد و اندازههای دستگاههای پرچمدار برساند.
یونگ-سو سون، یکی از مدیران ارشد سامسونگ ادعا میکند که راه حل مولتیچیپ جدید این شرکت میتواند با اتکا به تجربه و میراث ارزشمند سامسونگ در ساخت حافظههای سریع و قدرتمند، به مصرف کنندگان اجازه دهد تا حتی در گوشیهایی با قیمت ارزانتر، از استریم بدون وقفه، بازی بدون لگ و قابلیتهای تازهای مانند واقعیت افزوده بهره مند شوند.
وی سپس گوشیهای سری گلکسی A سامسونگ که دارای قیمتی اقتصادی و سختافزاری قابل قبول هستند را جایگاهی بسیار مناسب برای استفاده از این تکنولوژی جدید دانست. سون عرصه دیگر فعالیت مولتیچیپ حافظه رم LPDDR5 را کمک به حرکت سریعتر به سمت همهگیری فناوری 5G عنوان کرد تا دسترسی به سرعت بهتر برای تعداد بیشتری از کاربران فراهم شود.
در نتیجه این پیشرفت، مصرف کنندگان قادر خواهند بود تا کاربردها و قابلیتهایی که اکنون تنها در گوشیهای رده بالا در دسترس هستند، مانند استفاده از بازیهای حجیم و با گرافیک خوب، عکاسی پیشرفته و واقعیت افزوده را تجربه کنند. سامسونگ میگوید که نوآوری جدیدش عملکرد حافظههای DRAM را تا 50 درصد افزایش خواهد تا و به 25 گیگابایت بر ثانیه نزدیک خواهد کرد.
در همین رابطه بخوانید:
- حافظه رم LPDDR5 برای گوشیهای موبایل معرفی شد؛ سریعتر و کم مصرفتر از LPDDR4
- شاهکار جدید غول ذخیره سازی؛ سامسونگ تراشههای 176 لایه V-NAND را تا پایان سال به بازار میفرستد
همچنین عملکرد فلش مموریهای NAND نیز در مقایسه فناوری مبتنی بر UFS 2.2 و LPDDR4X، بیش از دو برابر خواهد شد و به 3 گیگابایت در ثانیه خواهد رسید. همچنین باید بدانیم که تکنولوژی مولتیچیپ DRAM/NAND جدید سامسونگ را میتوان در فضایی به کوچکی 11.5 × 13 میلیمتر جا داد که امکان استفاده آسان از آن را برای سازندگان گوشیهای هوشمند فراهم میکند.
سامسونگ اعلام کرده است که حافظههای رم این ترکیب 6 تا 12 گیگابایتی خواهند بود و مموریهای UFS 3.1 جدید از 128 تا 512 گیگابایت حافظه ذخیرهسازی خواهند داشت. این تکنولوژی قرار است پایان ماه آینده به گوشیهای هوشمند بالا رده و اقتصادی راه پیدا کند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت