سامسونگ یکبار دیگر تصمیم گرفته مرزهای دنیای موبایل را جابجا کند و پس از اعلام تولید تراشههای حافظه 512 گیگابایتی eUFS 3.0، تولید تراشههای حافظه 12 گیگابایتی DRAM برای استفاده در گوشیهای موبایل به عنوان حافظه رم را آغاز کرده است.
تراشههای حافظه یا اگر درستتر بگوییم پکیجهای حافظه 12 گیگابایتی سامسونگ مبتنی بر استاندارد مُدرن LPDDR4X هستند و با استفاده از فناوری ساخت 10 نانومتری موسوم به 1y-nm تولید میشوند. این پکیج حافظه از شش قطعه سیلیکونی 16 گیگابیتی (دو گیگابایتی) LPDDR4X تشکیل شده است که به لطف تجمیع سازی، انرژی کمتری مصرف میکند. جالب اینکه پکیج نهایی تنها 1.1 میلی متر ضخامت دارد.
از نظر کارایی نرخ تبادل داده این پکیج حافظه به 34.1 گیگابایت در ثانیه میرسد و در عین حال به لطف چگالی بالا، انرژی کمتری مصرف میکند. انتظار میرود این پکیجهای حافظه تا پایان سال به گوشیهای هوشمند راه یابند که شانس بهکارگیری آن در مدلهای پرچمدار بالا است.
در اصل نسل دوم از فناوری ساخت 10 نانومتری سامسونگ واقعاً 10 نانومتری نیست و کوچکتر است که به عنوان 1y nm شناخته میشود. بهکارگیری این فناوری جدید برای تولید تراشههای حافظه رم با بهبود مصرف انرژی و کاهش ضخامت تراشه همراه است.
به ادعای سامسونگ این تراشههای DRAM جدید در مقایسه با نسل اول تراشههای 10 نانومتری تا 10 انرژی کمتری مصرف میکنند. هم زمان ولتاژ مورد نیاز به کمتر از استانداردها کاهش یافته است که مزایای خود را دارد. علی رغم اینکه سامسونگ هیچ چیز درباره اندازه قطعه سیلیکونی تراشههای جدید ارائه نکرده است، اما انتظار میرود کوچکتر و هزینه ساخت آن قدری کمتر باشد.
سامسونگ از تراشههای جدید خود در ساخت پکیج های حافظه استفاده میکند، برای نمونه پکیج 8 گیگابایتی LPDDR4X این کمپانی از 16 قطعه سیلیکونی تشکیل شده است که در مقایسه با نسل نخست از این تراشهها، 20 درصد نازکتر است. به لطف همین تغییر ممکن است بتوان تا حدی از ضخامت گوشیها کاست. هم زمان سامسونگ در نظر دارد پکیج هایی با ظرفیت 4 و 6 گیگابایت نیز برای استفاده در گوشیهای ارزانتر تولید کند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت