SK hynix اطلاعاتی از اولین تراشه حافظه DDR5 DRAM خود منتشر کرد که انتظار می‌رود در نهایت جایگزین DDR4 شود. DDR5 افزون بر راندمان بهتر، با پهنای باند و چگالی دو برابری نسبت به DDR4 همراه است.
SK hynix ادعا می‌کند اولین سازنده‌ای است که تراشه‌های DDR5 DRAM منطبق بر استاندارد تدوین شده توسط JEDEC توسعه داده است، با این حال می دانیم هنوز استاندارد DDR5 نهایی نشده است. انتظار می‌رود تا پایان سال میلادی جاری مشخصات استاندارد حافظه DDR5 به تصویب برسد.
طبق اسلایدهای منتشر شده تراشه حافظه 16 گیگابیتی SK hynix دارای نرخ تبادل 6.4 گیگابیت در ثانیه به ازای هر پایه است و با ولتاژ فقط 1.1 ولت کار می‌کند. این تراشه 76.22 میلی متر مربع مساحت دارد. این تراشه با استفاده از فناوری ساخت موسوم به 1ynm تولید شده است. همچنین SK hynix از چالش‌ها در ساخت تراشه‌های حافظه DDR5 و چگونگی فائق آمدن بر آنها گفته است.
شاید جالب باشد که بدانید سامسونگ تراشه LPDDR5 SDRAM ساخته شده با استفاده از فناوری رده 10 نانومتر با سرعت تا 7.5 گیگابیت در ثانیه تولید کرده است که به ولتاژ تنها 1.05 ولت نیاز دارد.
هفته گذشته JEDEC استاندارد حافظه LPDDR5 را معرفی کرد که نرخ تبادل ورودی-خروجی آن به 6400 میلیون ترانسفر در ثانیه می‌رسد که درست 50 درصد بیشتر از اولین نسل از است. انتظار می‌رود این استاندارد حافظه جدید با افزایش کارایی و راندمان وسایل قابل حمل چون گوشی‌های موبایل همراه باشد.
در یک خبر مرتبط گفته می‌شود SK hynix 107 میلیارد دلار بر روی ساخت چهار سایت تولید تراشه حافظه جدید سرمایه گذاری می‌کند. این سایت‌ها در زمینی به مساحت 4.5 میلیون متر مربع در شرق سئول ساخته می‌شود که کار ساخت آن در سال 2022 میلادی آغاز می‌شود. همچنین SK hynix قصد دارد ظرف دهه آینده با صرف 49 میلیارد دلار دو سایت تولید تراشه فعلی خود را ارتقا دهند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت