رونمایی مایکرون از سریعترین تراشه حافظه دنیا با HBM3 Gen2؛ شش برابر سریعتر از GDDR6

شرکت مایکرون را همه ما به عنوان یکی از بزرگترین و پیشرفته‌ترین تولیدکنندگان تراشه حافظه در دنیا می‌شناسیم. در ادامه رقابت سخت و نفس‌گیری که این شرکت با سامسونگ در تولید تراشه‌های سریع حافظه دارد، از نسل جدید تراشه‌های موسوم به HBM3 Gen2 رونمایی شده که سرعت هیجان‌انگیز 1.2 ترابایت بر ثانیه را ارائه می‌کنند. در ادامه با معرفی این فناوری همراه ما باشید.

Micron، یکی از تولیدکنندگان برجسته حافظه در جهان، نسل بعدی فناوری حافظه HBM3 خود را معرفی کرده است که نوید ارائه عملکرد و ظرفیت بی‌سابقه‌ای را برای کاربردهای پیشرفته از حافظه مانند هوش مصنوعی و HPC می‌دهد. حتماً باید حدس زده باشید که در واقع HBM3 جانشین HBM2E است که در حال حاضر در برخی از قدرتمندترین پردازنده‌های گرافیکی و شتاب‌دهنده‌های موجود در بازار استفاده می‌شود.

به صورت کلی می‌توان گفت که HBM3 چندین مزیت ویژه نسبت به HBM2E دارد که در ادامه به بررسی آنها می‌پردازیم:

پهنای باند بالاتر: HBM3 می تواند به سرعت هیجان‌انگیز تا 12 ترابایت بر ثانیه پهنای باند در هر پشته دست یابد که 50 درصد بیشتر از HBM2E و شش برابر بیشتر از GDDR6 است. این بدان معنی است که یک پشته HBM3 می‌تواند پهنای باند بسیار  بیشتری نسبت به کل کارت گرافیک مبتنی بر GDDR6 ارائه دهد. HBM3 همچنین با افزایش نرخ داده در هر پین از 3.6 گیگابیت بر ثانیه به 9.2 گیگابیت بر ثانیه، در شرایط استفاده از همان رابط گسترده 1024 بیتی، به این آمارها دست می‌یابد که در نوع خود بسیار کارآمد و کاربردی‌تر خواهد بود.

ظرفیت بالاتر: HBM3 می‌تواند تا 64 گیگابایت حافظه در هر پشته را پشتیبانی کند که چهار برابر بیشتر از HBM2E و 16 برابر بیشتر از GDDR6 است. طبق توضیحات مایکرون، این پیکربندی با چینش هشت قالب هشت گیگابایتیDRAM  روی هم، با استفاده از گذرگاه‌های سیلیکونی (TSV) و میکروبامپ‌ها برای اتصال آنها امکان‌پذیر شده است. HBM3 همچنین از حالت دو کاناله پشتیبانی می‌کند، که به دو پشته اجازه می‌دهد تا یک کنترلر و رابط را به اشتراک گذاشته و به طور موثر ظرفیت و پهنای باند را در هر بسته دو برابر کنند.

راندمان بالاتر: HBM3 به دلیل ولتاژ کاری کمتر (0.7 ولت) و بهبود ویژگی‌های مدیریت توان، انرژی الکتریکی کمتری نسبت به HBM2E در هر انتقال بیت مصرف می‌کند. HBM3 همچنین طراحی حرارتی مدارهای راه‌انداز و پیچیدگی سیستم را نیز کاهش خواهد داد، زیرا می‌توان آن را فاصله نزدیک‌تری به پردازنده قرار داد.

مورد برتری دیگر در این زمینه آن است که در HBM3 به تعداد پین کمتری نسبت به GDDR6 برای راه‌اندازی نیاز خواهیم داشت و این موجب می‌شود مصرف کلی برد مدار چاپی نیز حاصل شده و دست طراحان برای بسیاری موارد نیز بازتر باشدنباشد.

Micron ادعا می کند، اولین شرکتی است که نمونه تراشه‌های HBM3 را برای مشتریان خود عرضه می‌کند و انتظار دارد تولید انبوه این تراشه‌های حافظه در اواخر سال 2023 یا اوایل سال 2024 آغاز شود.

این شرکت همچنین اشاره کرده که با چندین شریک بزرگ مانند AMD، Intel، Nvidia و Xilinx همکاری نزدیکی آغاز کرده و برای اطمینان از سازگاری و قابلیت توسعه و ساخت محصولات بر پایه تراشه HBM3 خود. آنها را در بسترهای تست سنگین قرار خواهد داد.

بنابر ویژگی‌هایی که در بالا برای این تراشه‌ها عنوان شد می‌توان انتظار داشت از این تراشه‌ها در کاربردهای پیشرفته (مانند هوش مصنوعی مولد، که از شبکه‌های عصبی برای ایجاد تصاویر، صداها و ویدیوهای واقعی از ابتدا استفاده می‌کند که به حجم عظیمی از پردازش داده نیاز دارند)، استفاده نمود.

در نظر داشته باشید که Micron اولین شرکتی است که اقدام به تولید نمونه‌های عملیاتی نسل دوم HBM3 کرده، اما SK hynix اخیراً فاش کرد که نسخه‌های 24 گیگابایتی HBM3E را در دست توسعه دارد تا آنها را برای عرضه در سال 2024 آماده کند. با این حال، گفته می‌شود که این محصولات به حداکثر سرعت 8 گیگابیت بر ثانیه در هر پین (1 ترابایت بر ثانیه به صورت کلی) می‌رسند. این سرعت می‌تواند تا 20 درصد سریعتر از محصول مایکرون باشد که به طور طبیعی، قبل از انجام یک مقایسه دقیق تر، باید منتظر اعلام نهایی SK hynix در مورد محصول تولیدی‌اش باشیم.