سامسونگ نقشه راه خودش را درباره تراشههای 1 نانومتری بروز کرده و از فناوری High-NA EUV گفته که قرار است خطوط تولید این شرکت را متحول کند. ظاهراً تجاریسازی این فناوری از حوالی سال 2030 آغاز میشود اما فعلاً استفاده از High-NA EUV در فرایندهای 2 نانومتری و 1.4 نانومتری در دستور کار نیست.
براساس گزارشها، یکی از مدیران سامسونگ اعلام کرده است که این شرکت در ابتدا امیدوار بود فناوری High-NA EUV را از نودهای 2 یا 1.4 نانومتری وارد خط تولید کند، اما این فناوری هنوز به بلوغ کافی برای استفاده گسترده نرسیده است.
سامسونگ برای تولید تراشههای 1 نانومتری روی High-NA EUV حساب باز کرد
در برنامه فعلی سامسونگ، فرایند SF1.4 که برای سال 2029 برنامهریزی شده، همچنان از فناوری EUV متعارف با دیافراگم عددی 0.33 NA استفاده خواهد کرد. پس از آن، فرایند SF1.4+ و نخستین نسل تراشههای 1 نانومتری نیز در سال 2030 ابتدا با همین فناوری تولید خواهند شد و High-NA EUV بهتدریج به روش اصلی تولید تبدیل میشود.
فناوری High-NA EUV نسل جدیدی از لیتوگرافی فرابنفش شدید است که با افزایش دیافراگم عددی، امکان ساخت ترانزیستورهای کوچکتر و دقیقتر را فراهم میکند. با این حال، تجهیزات موردنیاز این فناوری بسیار گران هستند و زنجیره تأمین تجهیزات و مواد مرتبط با آن هنوز در حال توسعه است.
به همین دلیل، سامسونگ قصد دارد در یک دوره انتقالی از ترکیب روشهای فعلی و جدید استفاده کند؛ به این صورت که الگوسازی چندمرحلهای با EUV استاندارد را در کنار الگوسازی تکمرحلهای High-NA EUV به کار بگیرد.
بر اساس گزارش tomshardware این شرکت همچنین با همکاری شرکای فعال در حوزه تجهیزات و مواد نیمههادی، در حال آمادهسازی زیرساختهای لازم برای ورود گستردهتر High-NA EUV به نسلهای آینده تراشهها است.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت