ظاهراً TSMC بدون سر و صدا تولید انبوه تراشههای 2 نانومتری خود را آغاز کرده است. طبق اعلام رسمی این شرکت، فناوری N2 در تایوان وارد فاز تولید انبوه شده که میتواند مسیر پردازندههای گوشیهای هوشمند و هوش مصنوعی را در سال آینده تغییر دهد.
طبق اطلاعات منتشر شده در وبسایت رسمی TSMC، لیتوگرافی 2 نانومتری یا همان N2 مطابق برنامه از سهماهه چهارم سال 2025 وارد فاز تولید انبوه شده است. اگرچه TSMC تاکنون بیانیه مطبوعاتی مستقلی درباره این شروع منتشر نکرده است.
فناوری N2 نسبت به نسل قبلی خود یعنی N3E با جهش معناداری همراه شده است. این فناوری بین 10 تا 15 درصد عملکرد بهتر را به همراه داشته و مصرف انرژی را 25 تا 30 درصد کاهش میدهد. تراکم ترانزیستور نیز بین 15 تا 20 درصد افزایش یافته است.
تولید انبوه تراشههای 2 نانومتری در یکی از کارخانههای TSMC
N2 نخستین فناوری TSMC است که مبتنی بر ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) طراحی شده که امکان کوچکسازی بیشتر ترانزیستور بدون افت عملکرد را به همراه دارد. در کنار آن استفاده از خازنهای پیشرفته SHPMIM در شبکه توزیع انرژی یا توان، چگالی خازنی را بیش از دو برابر و مقاومت را تا 50 درصد کاهش داده است.
بر اساس گزارش tomshardware در همین رابطه مدیرعامل TSMC در گزارش مالی اخیر اشاره کرده که فناوری N2 با بازدهی مناسب در حال تولید انبوه بوده و انتظار میرود در سال 2026 با رشد تقاضا از سوی سازندگان گوشیهای هوشمند و پردازشهای سنگین مرتبط با هوش مصنوعی، سرعت تولید نیز بیشتر شود.
تولید اولیه تراشههای 2 نانومتری در کارخانه Fab 22 کائوهسیونگ آغاز شده است. در حالی که پیشتر تصور میشد کارخانه Fab 20 در هسینچو که نزدیک مرکز تحقیق و توسعه TSMC قرار دارد، اولین محل تولید باشد. به نظر میرسد Fab 20 با کمی تأخیر وارد فاز تولید انبوه خواهد شد.
TSMC قصد دارد ظرفیت تولید N2 را از طریق کارخانههای کاملاً جدید گسترش دهد. راهاندازی همزمان دو کارخانه با فناوری N2 نشاندهنده علاقه گسترده مشتریان بزرگ TSMC به این نسل پردازشی است.
بر اساس برنامهریزیهای صورت گرفته، هر دو کارخانه از اواخر سال 2026 تولید تراشهها بر پایه لیتوگرافی پیشرفته N2P و A16 را برای پردازندههای سنگین هوش مصنوعی و محاسبات ابری آغاز خواهند کرد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت