سامسونگ فاندری یکی از دو شرکت بزرگ تولید تراشه دنیا در کنار TSMC است که رقابتی سخت با این غول تایوانی دارد. در ادامه رقابت این دو شرکت بزرگ، سامسونگ با بروزرسانی نقشه راه عرضه تراشه‌های پیشرفته خود، زمان عرضه عمومی فناوری ساخت تراشه 2 و 1.4 نانومتری را اعلام کرده است؛ بروزرسانی که می‌تواند هر چه بیشتر از قبل به گرمای رقابت این دو شرکت بیفزاید.
بنابر گزارش AnandTech به نقل از سامسونگ، ساعتی پیش گردهمایی سالانه Samsung Foundry Forum موسوم به SFF 2023 به پایان رسید و در آن شرکت Samsung Foundry به عنوان بازوی تولید تراشه مجموعه بزرگ سامسونگ برنامه عرضه محصولات خود تا سال 2027 را به صورت رسمی اعلام و به نوعی بروزرسانی کرد.
زمان عملیاتی شدن ساخت تراشه با فناوری های 2 و 1.4 نانومتری
بر اساس آنچه در این فروم عنوان شده، سامسونگ تولید تراشه‌های 2 نانومتری خود موسوم به SF2 را تا سال 2025 به صورت رسمی آغاز خواهد کرد. فناوری پیشرفته‌تر SF1.4 نیز دو سال بعد یعنی در 2027 وارد فاز تولید شده و روند تولید تراشه با فناوری ساخت 1.4 نانومتری سامسونگ را آغاز خواهد کرد. در این میان سامسونگ برخی از جزئیات تخصصی در مورد فرایند ساخت SF2 را نیز عنوان کرد که در ادامه در مورد آن صحبت خواهیم کرد.
در همین رابطه بخوانید:
- زمان عرضه فناوری ساخت 1.8 نانومتری اینتل اعلام شد
- تراشه‌های 1.4 نانومتری TSMC چه زمانی وارد بازار می‌شوند؟
مشخصات فناوری‌های ساخت جدید سامسونگ
طبق اعلام سامسونگ فاندری، فناوری ساخت یا فرایند SF2 می‌تواند تا 25 درصد بهینگی بیشتری در مصرف توان الکتریکی (در فرکانس کلاک و میزان پیچیدگی مدارات داخلی تراشه مشابه با نسل قبل) را منجر شود. این بهینگی همچنین با افزایش کارایی تا 12 درصد (در فرکانس کلاک و میزان پیچیدگی مدارات داخلی تراشه مشابه با نسل قبل) و 5 درصد کاهش در اشغال فضای die تراشه در مقایسه با SF3 (فناوری ساخت 2 نانومتری نسل سومی که اوایل سال جاری میلادی معرفی شده بود) را ارائه می‌کند.
برای آنکه فناوری ساخت SF2 توان رقابت هر چه بیشتر با فناوری ساخت هم‌کلاس در مجموعه TSMC را داشته باشد، سامسونگ قصد دارد این نود را با مجموعه‌ای از IP پیشرفته برای ادغام در طراحی‌های تراشه‌ها، از جمله LPDDR5x، HBM3P، PCIe Gen6 و 112G SerDes (فناوری ارتباط اترنت سرعت بالا) ارائه دهد.
فرایند ساخت SF2 سامسونگ در سال 2026 با فناوری ساخت SF2P بهینه سازی شده برای محاسبات با کارایی بالا (HPC) و سپس SF2A که در سال 2027 برای کاربردهای مخصوص خودرو هدف گذاری شود، بروز شده و در اختیار مشتریان قرار خواهد گرفت.
گره کلاس 2 نانومتری سامسونگ تقریباً همزمان با فناوری پردازش N2 TSMC (کلاس 2 نانومتر) و حدود یک سال یا بیشتر پس از فرآیند 20A اینتل در دسترس خواهد بود.
توسعه حوزه‌های ویژه دیگر ساخت تراشه در سامسونگ فاندری
سامسونگ همچنین قصد دارد به توسعه هر چه بیشتر فناوری‌های رادیویی خود نیز ادامه دهد. این شرکت انتظار دارد که فناوری پردازش 5 نانومتری RF خود را در نیمه اول سال 2025 به مرحله تولید برساند. پیش بینی می‌شود در مقایسه با فرآیند قدیمی 14 نانومتری RF، فناوری 5 نانومتری RF سامسونگ بازده مصرف انرژی الکتریکی را تا 40 درصد و تراکم جای دادن ترانزیستورها در یک فضای ثابت را نیز تا 50 درصد افزایش دهد.
همچنین در سال 2025، سامسونگ تولید نیمه هادی‌های قدرت (رده الکترونیک صنعتی و تجهیزات سوئیچینگ توان بالا) گالیوم نیترید (GaN) را برای کاربردهای مختلف از جمله محصولات مصرفی، مراکز داده و بخش خودرو آغاز خواهد کرد.
علاوه بر گسترش فناوری‌های ساخت پیشرفته سامسونگ قصد دارد ظرفیت‌های تولیدی خود در دو اصلی تولید تراشه شرکت مانند پیونگ تائِک کره جنوبی و تیلور تگزاس آمریکا افزایش دهد. بنابر گزارش‌های منتشر شده، سامسونگ قصد دارد تولید انبوه تراشه‌ها را در خط 3 پیونگ‌تک (P3) در دوم نیمه‌ماه 2023 آغاز کند. انتظار می‌رود ساخت کارخانه جدید در تیلور آمریکا نیز تا پایان سال تکمیل شود و فاز عملیاتی آن نیز تا نیمه دوم سال 2024 آغاز شود. برنامه های فعلی تولید تراشه این است که ظرفیت اتاق کل مجموعه تا سال 2027 به میزان 7.3 برابر در مقایسه با ظرفیت سال 2021 افزایش یابد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت