اینتل قطعاً در استفاده از نسل اول فناوری لیتوگرافی با استفاده از اشعه فرابنفش یا EUV از TSMC و سامسونگ عقب افتاده، اما قصد دارد اولین شرکت نیمه‌هادی دنیا باشد که از ماشین‌های لیتوگرافی با عدسی‌های NA بالا استفاده می‌کند.این شرکت به تازگی دومین دستگاه لیتوگرافی نسل جدید خود را نیز از ASML سفارش داده است.
اینتل اعلام کرده که قصد دارد از ماشین‌های لیتوگرافی جدید شرکت ASML برای تولید تراشه با حجم بالا از سال 2025 استفاده نماید. این تراشه‌ها به احتمال زیاد با فناوری ساخت 1.8 نانومتری تولید خواهند شد. اینتل استفاده آزمایشی از این ماشین‌های EUV با لنزهایی دارای NA یا گشودگی دیافراگم عددی 0.55 را از سال 2018 آغاز کرده است.
در همین رابطه بخوانید:
- پیش‌بینی ASML از آینده صنعت نیمه‌هادی؛ 300 میلیارد ترانزیستور در هر تراشه تا سال 2030
- ماشین لیتوگرافی شرکت هلندی برای ساخت ترانزیستورهایی به ابعاد چند اتم؛ قانون مور هنوز زنده است
این عدد به اینتل اجازه خواهد داد تا فرآیند لیتوگرافی را با دقت بیشتری پیش ببرد و بتواند تراشه‌هایی با تعداد ترانزیستورها و تراکم بیشتر بسازد. رییس شرکت ASML می‌گوید که نسل جدید دستگاه‌های لیتوگرافی این شرکت قرار است پیچیدگی، هزینه و زمان لازم برای ساخت تراشه را تا حد زیادی کاهش دهند.
ابزارهای لیتوگرای فرابنفش یا EUV دارای NA بالا خواهند توانست با کاهش طول موج تا 8 نانومتر، سرعت ساخت وافر را به 200 وافر بر ساعت افزایش دهند. آخرین فناوری کنونی ASML تنها قادر است 160 وافر در هر ساعت بسازد. اینتل هم اعلام کرده که با استفاده از ماشین‌های لیتوگرافی جدید ASML قصد دارد تا قانون مور را ادامه دهد و کوچک‌ترین ترانزیستورهای موجود را بسازد.
البته در نظر داشته باشید که استفاده از ماشین لیتوگرافی فرابنفش شدید یا EUV با NA بالا به معنی از بین رفتن کاربردهای نسل‌های قبلی همچون لیتوگرافی DUV نخواهد بود، با این حال از فناوری EUV با NA بالا می‌توان به عنوان فناوری کلیدی در افزایش تراکم تراشه‌ها نام برد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت