هرچند شیوع بیماری کرونا باعث شده بسیاری از انسان ها خود را محصور در سال 2020 بینند، اما سامسونگ مصمم به تولید تراشه با استفاده از فناوری ساخت 3 نانومتری در سال 2022 میلادی است و خبر از دست یابی به پیشرفت‌های مهم با نسل بعدی فناوری ترانزیستور خود داده است.

پیش از این می‌دانستیم سامسونگ مشغول کار بر روی فناوری (GAAFET) Gate-All-Around FET است که از طریق کنترل بیشتر بر روی کانال ترانزیستور، به کاهش نشت جریان در مواقع تولید با فناوری‌های ساخت کوچک‌تر کمک می‌کند. امروز این کمپانی جزئیات تازه‌ای درباره فناوری آتی Multi Bridge Channel FET (MBCFET) خود ارائه کرد که قرار است با فناوری ساخت 3 نانومتری به خدمت گرفته شود.

b1Fx2EiO3uzXz3DD.jpg

پیش از هر چیز در نظر داشته باشید MCBFET یک فناوری جدید نیست و خود زیرمجموعه GAAFET است. بنابراین GAAFET یک محصول معین نیست. در هر صورت سامسونگ وعده داده این فناوری ضمن 50 درصد مصرف انرژی کمتر، 30 درصد کارایی بالاتری ارائه می‌کند. همچنین با این فناوری چگالی نیز به طرز چشمگیری بهبود یافته و سامسونگ از حدود 45 درصد فضای کمتر میان ترانزیستورها سخن می‌گوید.

آنچه که گفته شد حاصل مقایسه MCBFET با یکی از فناوری‌های ساخت 7 نانومتری این کمپانی است که می‌تواند FinFET باشد. فناوری MCBFET امکان ساخت ترانزیستورها بر روی یکدیگر را می‌دهد که به کاهش فضای اشغال شده در مقایسه با FinFET معمولی می‌انجامد.

البته ترانزیستورهای MCBFET GAA از نظر پهنا انعطاف پذیر هستند و طراح تراشه بسته به نیاز خود می‌تواند آن را برای دست یابی به مصرف پایین یا کارایی بالا تنظیم کند.

به این ترتیب به نظر می‌رسد سال 2022 شاهد تراشه‌های بسیار سریع‌تر و البته بسیار کم مصرف‌تر باشیم.

مطالب مرتبط پیشنهادی

نظر خود را اضافه کنید.

ارسال نظر بدون عضویت در سایت

0
  • هیچ نظری یافت نشد

ورود به شهرسخت‌افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار
ورود به شهر سخت افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار

نام و نام خانوادگی(*)
لطفا نام خود را وارد کنید

ایمیل(*)
لطفا ایمیل خود را به درستی وارد کنید

رمز عبور(*)
لطفا رمز عبور خود را وارد کنید

شماره موبایل
Invalid Input

جزو کدام دسته از اشخاص هستید؟(*)

لطفا یکی از موارد را انتخاب کنید