سامسونگ در گلکسی اس 10 از حافظه های بسیار سریع UFS 3.0 استفاده خواهد کرد

محصولات سری گلکسی اس سامسونگ همواره انبوهی از نوآوری ها و بهترین ها بوده اند. در جدیدترین موارد نوآوری در این گوشی ها به نظر سامسونگ قصد دارد از آخرین تکنولوژی موجود برای حافظه های فلش داخل دستگاه از نسخه UFS 3.0 استفاده کند. حافظه هایی که به نسبت نسل قبل بسیار سریعتر، کم مصرف تر و با پهنای باند بیشتری بوده و قابلیت عملکردی وسیعتری دارند.

اگر به خاطر داشته باشید اواخر سال گذشته بود که حافظه های پر سرعت نسل جدید UFS 3.0 به صورت رسمی معرفی شدند. به صورت کلی این حافظه ها با افزایش پهنای باند ارتباطی با حافظه و همچنین استفاده از دو خط دو طرفه در ارتباط توانایی رسیدن به سرعت بسیار بالای 23.2 گیگابیت بر ثانیه را به صورت تئوری دارند. در عین حال با توجه به کاهش ولتاژ کاری تراشه های این خانواده، مصرف انرژی الکتریکی آنها نیز کاهش پیدا کرده و در عین حال توانایی عملکرد آنها در بازه دمایی بسیار گسترده تری فراهم شده است.

بعد از معرفی این نسل جدید از حافظه های هم جانبه فلش سامسونگ در همایش 4G/5G Summit هنگ کنگ اعلام کرد که اولین دستگاه های خود با استفاده از حافظه های سریع UFS 3.0 را نیمه اول سال 2019 معرفی خواهد کرد. البته در آن زمان به صورت مستقیم به مدل خاصی از محصولات شرکت اشاره نشد ولی با توجه به اینکه این حافظه ها به نوعی نوآوری در محصولات حوزه موبایل به شمار می‌آیند و سامسونگ در سالهای گذشته نیز برای اولین بار نسخه های قبلی UFS را در محصولات سری Galaxy S خود برای اولین بار مورد استفاده قرار می‌داد باید انتظار داشته باشیم که در گلکسی اس 10 و همچنین گلکسی نوت 10 اولین محصولاتی باشند که از UFS 3.0 استفاده می‌کنند.

البته احتمال دیگری هم در این خصوص وجود دارد که سامسونگ دو نسخه از گوشی های سری گلکسی اس 10 را عرضه کند و با توجه به فراگیر تر شدن تب استفاده از نسل پنجم شبکه های مخابراتی، تنها نسخه 5G گوشی Galaxy S10 با استفاده از این حافظه های سریع مورد استفاده تولید و نسخه 4G با همان نسخه UFS 2.1 عرضه شود.

نکته بعدی در مورد UFS 3.0 انتخاب های ظرفیت محدود آن است و بنابر اعلام موسسه JEDEC تنها نسخه های 128، 256 و 512 گیگابایت این حافظه ها عرضه خواهند شد. بنابراین از همین حالا باید دستگاه هایی که با استفاده از این حافظه ها ساخته می‌شوند دارای قیمت بالاتری از نسخه های معمول باشند.

البته خبر جالب دیگری هم که در همایش Summit کوالکام منتشر شد این است که با توجه به گفته های شرکت Micron از بزرگترین بازیگران حوزه حافظه های حالت جامد، در سالهای 2021 و بعد از آن شاهد عرضه گوشی هایی با حافظه های داخلی یک ترا بایت خواهیم بود و به احتمال فراوان همه شرکت های توسعه دهنده اسمارت فون ها به سراغ این عدد جذاب و تحریک کننده بازار خواهند رفت.