سامسونگ در تولید انبوه تراشه‌های حافظه 16 گیگابیتی (2 گیگابایتی)GDDR6 از SK Hynix و Micron سبقت گرفت تا اولین تولیدکننده آن در دنیا باشد. این تراشه‌های حافظه با استفاده از فناوری ساخت 10 نانومتری تولید می‌شوند و به ولتاژ مصرفی 1.35 ولت نیاز دارند.
تراشه‌های حافظه جدید سامسونگ دارای سرعت 18 گیگابیت بر ثانیه به ازای هر پین (پایه) هستند و سرعت انتقال داده آنها به 75 گیگابایت بر ثانیه می‌رسد. تراشه‌های 8 گیگابیتی (1 گیگابایتی) GDDR5 فعلی سامسونگ، علی رغم اینکه نصف این صنعت را در اختیار دارند، به ولتاژ 1.55 ولت برای ارائه سرعت 9 گیگابیت بر ثانیه به ازای هر پین نیاز دارند. پیش‌تر سامسونگ به سرعت تراشه‌های GDDR6 خود اشاره کرده بود اما حالا می دانیم سریع‌تر هستند.
اولین تراشه GDDR6 محصول SK Hynix دارای ظرفیت 8 گیگابیت (1 گیگابایت) است و به ولتاژ 1.35 ولت نیاز دارد. این کمپانی بعدتر یک تراشه حافظه 16 گیگابیتی نیز عرضه خواهد کرد. در آن سو Micron جزئیاتی ارائه نکرده اما پیش بینی کرده سرعت تراشه‌های GDDR6 آنها از 12 گیگابیت بر ثانیه شروع شود که با سریع‌ترین تراشه‌های GDDR5X فعلی برابری می‌کند. در نهایت Micron تراشه حافظه با سرعت 16 گیگابیت بر ثانیه عرضه خواهد کرد.
هرچند بر روی کاغذ تراشه‌های حافظه GDDR6 سامسونگ سریع‌تر از برآوردهای SK Hynix و Micron هستند، اما باید تا زمان عرضه اولین محصول مجهز به تراشه‌های GDDR6 این کمپانی منتظر ماند و دید آیا واقعاً قادر به کار کردن با آن سرعت‌ها هستند یا نه. اگر بخواهیم دست کم بر روی کاغذ یک مقایسه داشته باشیم، پهنای باند حافظه کارت گرافیک GTX 1080 با حافظه GDDR5X به 320 گیگابیت بر ثانیه می‌رسد، حال اگر همین کارت به تراشه‌های حافظه GDDR6 با سرعت 16 و 18 گیگابیت بر ثانیه مجهز شود، پهنای باند حافظه آن به ترتیب به 512 و 576 گیگابیت بر ثانیه می‌رسد.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت