بر اساس قانون مور، با فناوری ساخت فراتر از 10 نانومتر، نمی توان تراشه سیلیکونی ساخت. در همین حال کمپانی IBM در همکاری با چند نهاد دیگر، موفق به ساخت اولین تراشه های 7 نانومتری جهان شده است که خبر بزرگی برای دنیای نیمه هادی ها و بویژه پردازش دیجیتال است، چرا که درهای جدیدی را بسوی تولید تراشه های بهینه تر، کم مصرف تر و قدرتمندتر می گشاید.
تراشه های مبتنی بر فناوری ساخت 7 نانومتری IBM، از ترانزیستورهای FinFET متفاوتی نسبت به تراشه فعلی برخوردار هستند که در ساخت آنها نه از سیلیکون خالص، بلکه از آلیاژ سلیکون-ژرمانیوم استفاده شده است. دلیل بکارگیری ژرمانیوم به محدودیت های سیلیکون در لیتوگرافیکی های پایین تر از 10 نانومتر بر می گردد. در ساخت تراشه های 7 نانومتری IBM از لیتوگرافی با پرتوهای بسیار شدید فرابنفش (EUV) استفاده شده است. از نظر تئوری می توان با این فناوری جدید، پردازنده های با بیش از 20 میلیارد ترانزیستور ساخت که بیش از 5 برابر تعداد ترانزیستورهای بکار رفته در تراشه های امروزی است.
فناوری ساخت 7 نانومتری، پس از 10 نانومتر، گام بعدی در دنیای تراشه ها است که اکنون پیش رفته ترین آن ها مبتنی بر لیتوگرافی 14 نانومتری و تراشه Exynos 7420 بکار رفته در Galaxy S6 سامسونگ می باشد، از این رو فاصله ای حداقل چند ساله با تولید انبوه آن ها داریم. بر اساس قانون مور؛ کوچ از هر یک از این نسل ها به نسل بعدی، به کاهش پنجاه درصدی اندازه تراشه ها می انجامد و هم زمان فضای بیشتری را برای گنجاندن ترانزیستورهای بیشتر و دست یابی به قدرت پردازشی بالاتر ممکن می کند.
با اینکه دست یابی به فناوری ساخت 7 نانومتری هیجان انگیز است و نوید پیشرفت های شگرفی را در حوزه محاسبات و قدرت پردازشی می هد، این فناوری ها صرفاً در فاز تحقیقاتی هستند و هنوز امکان تولید انبوه آن وجود ندارد و انتظار نمی رود که تا پیش از سال 2017 و یا حتی 2018 شاهد ظهور آن باشیم و فعلاً باید گام بعدی در حوزه ساخت تراشه ها را با پردازنده های 10 نانومتری اینتل شاهد باشیم.
منبع: phonearena،techspot
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت