سامسونگ و ساخت رم DDR3 با ظرفیت 32 گیگابایت، به کمک TSV

[frany]

سامسونگ از ساخت رم‌های جدید DDR3با حافظه‌ی 32 گیگابایت، خبر داد. این محصول بر پایه‌ي تکنولوژی فشرده‌سازی TSV (یا 3D Through Silicon Via package)بنا شده است. سامسونگ در ساخت این رم‌ها از معماری 30 نانومتری استفاده نموده است که نسبت به سری‌های پیشین، از جمله معماری 40 نانومتری،‌ با محیط زیست سازگارتر است.

این ماژول‌ها توانایی انتقال سریع اطلاعات، با وجود مصرف انرژی بسیار پایین را دارا می‌باشند. این رم با سرعتی معادل 1333 مگابیت بر ثانیه، به تبادل داده‌ها می‌پردازد و تنها حدود 4.5 وات در ساعت انرژی مصرف می‌کند. این میزان مصرف انرژی پاییین ترین مصرف در بین سرورهای پیشتاز (Enterprise servers) است.

سامسونگ این کارایی بالا و مصرف انرژی پایین را به دلیل استفاده از تکنولوژی TSVمی‌داند که با کوتاه نمودن خطوط سیگنال، به افزایش بازدهی کمک می‌کند.

وانون هونگ، نایب رئیس اجرایی بخش بازاریابی حافظه‌های سامسونگ، در اینباره گفت: «این RDIMMهای 32 گیگابایتی به طور کامل از ابزارهای تراکم بالا و کارا، که برای نسل بعدی سرورهای ظرفیت بالا لازم هستند، پشتیبانی می‌کنند. ما همچنان به ساخت حافظه‌های سریع‌تر و با تراکم بالاتر، که سهم ما را در طراحی سرورهای «سبز»تر بیشتر خواهد نمود، ادامه خواهیم داد.»

RDIMMیا Registered dual in line memory module، ابتدا در رم‌های DDR3به کار گرفته شد. این نوع ماژول‌ها نسبت به نوع DIMMانرژی بیشتری مصرف می‌کردند، ولی این نوع حافظه‌ها را از جهت سرعت و تراکم، در جایگاهی بهتر از رده‌های قبلی قرار می‌دادند.
برای مشاهده این لینک/عکس می بایست عضو شوید ! برای عضویت اینجا کلیک کنید

منبع