محققان سوئدي با استفاده از فن‌آوري نانو، ترانزيستور جديدي ساخته‌اند که بازده آن نسبت به ترانزيستورهاي کنوني، ‌٥٠ برابر بيشتر است.

به گزارش سرويس فن‌آوري ايسنا، اين ترانزيستور در تهيه و راه‌اندازي سامانه‌هاي ارتباطات بي‌سيمِ خانگي کمک خواهد کرد.

لارز-اريک ورنرسان، استاد فيزيک حالت جامد در دانشگاه لاند (Lund University) سوئد، در اين ارتباط گفت: «اين ترانزيستور مي‌تواند مصرف انرژي در گوشي‌هاي تلفنِ همراه و رايانه‌ها را کاهش دهد. همچنين، اين ابزار مي‌تواند به مخابره‌ اطلاعات در بسامدهايي که براي فناوري‌هاي کنوني بسيار بالا هستند کمک کند.»

پيش از اين، محققان معتقد بودند که نمي‌توان بدون ايجاد گرماي اضافي و نامطلوبِ ناشي از حرکت الکترون‌ها، ترانزيستورها را از اندازه‌ي کنوني کوچکتر کرد.

ورنرسان در اين باره گفت: «مدل ما از آرسنيد اينديوم ساخته شده است و در اين محيط، الکترون‌ها بسيار آسانتر از محيط سيليکوني ترانزيستورهاي معمولي حرکت مي‌کنند؛ البته بدون بهره‌گيري از فن‌آوري نانو، ساخت چنين ترانزيستورهايي دشوار است.»

وي گفت که اين ترانزيستورها به جاي «حکاکي»، به صورت خود تشکيل‌شونده (self-organized) و بر اساس يک اصل پايين - بالا ساخته مي‌شوند.

ورنرسان و همکارانش اميدوارند که بتوانند به اين شکل، ترانزيستورهايي با بسامد کاري ??GHz توليد کنند (بسامد کاري لوازم الکتريکي کنوني ? تا ?? گيگاهرتز است).

به گزارش ستاد ويژه توسعه فن‌آوري نانو، وي در اين ارتباط گفت: «با اين بسامد مي‌توان به ايجاد ارتباطات بي‌سيم در منزل، مثلاً دانلود فيلم يا برقراري ارتباط بين تلويزيون و پروژکتور اميدوار شد. ما مطمئن هستيم که اين لوازم در آينده، هرچه بيشتر يکپارچه خواهند شد.»

اخيراً ورنرسان اعلام کرده است که ‌٥/٢٤ ميليون SEK از بنياد تحقيقات راهبردي سوئد دريافت کرده است تا مدارهاي بي‌سيم جديدي را با استفاده از فن‌آوري نانو، طراحي و توليد کند.

ترانزيستور جديد اين گروه، يکي از ضروريات مدارهاي مذکور مي‌باشد.

محققان مزبور براي ساخت اين ترانزيستور با شرکت QuNano همکاري کرده‌اند.

نتايج اين بررسي در شماره اخير نشريه Electron Device Letters به چاپ رسيده است.

منبع : mohammadian2007.blogfa