اندازه گیری مقاومت لایه های عایق در پردازشگرها به شیوه ای جدید

[Trance]

محققان آمریکایی با ارائه روشی جدید به منظور تعیین پایداری لایه عایق مدارها در برابر شکستگی تحولی قابل توجه در صنعت تولید آی سی ها و دیگر تجهیزات میکروالکترونیک به وجود آورده اند. به گفته محققان موسسه ملی استاندارد و تکنولوژی این شیوه میزان استحکام مکانیکی این لایه های چند میکرومتری عایق را که در میان لایه های مواد رسانا در میکروپردازشگرها و دیگر تجهیزات نیمه رسانا قرار گرفته اند مورد بررسی قرار می دهد.
میزان تردی و شکنندگی این لایه ها که Low-K نامیده می شوند تا به حال برای صنایع مختلف به عنوان مشکلی بر بازده صنعتی و قابل اطمینان بودن محصول تاثیر گذار بوده است و به گفته متخصصان در صورت وجود شیوه ای به منظور اندازه گیری مقاومت این لایه ها در برابر شکستگی می توان در طراحی این لایه ها و الکترونیکهای وابسته به آن تحولی بزرگ ایجاد کرد.
محققان موسسه ملی استاندارد و تکنولوژی در شیوه ابداعی خود -nanoindentation - از ماده ای سخت و برنده مانند الماس استفاده کرده و میزان فشار مورد نیاز برای تغییر شکل ماده را اندازه گیری کردند.
به گفته محققان استفاده از این شیوه نیازمند تغییرات کوچکی در تجهیزات nanoindentation است به این مفهوم که به منظور امکان اندازه گیری دقیق میزان فشار، ماده مورد مصرف باید از تیزی و باریکی معیینی برخوردار باشد.
بر اساس گزارش نیوساینتیست، فشارآوردن دقیق بر روی لایه های عایق باعث ایجاد شکافهایی در ابعاد 300 نانومتر می شود که اندازه دقیق آنها توسط میکروسکوپهای الکترونی اندازه گیری خواهد شد.
چگونگی ایجاد شکافها نیز با خصوصیاتی مانند ضخامت لایه، فشار لایه و میزان کشسانی آن در ارتباط است. محققان با جمع آوری این گونه اطلاعات و با استفاده از الگوهای مکانیکی شکست در نهایت قادر خواهند بود میزان مقاومت لایه را در برابر شکستگی و انواع فشارهای وارد شده اندازه گیری کنند.


خبر گزاری مهر




برای مشاهده این لینک/عکس می بایست عضو شوید ! برای عضویت اینجا کلیک کنید