جام جم آنلاين: دانشمندان دانشگاه پنسيلوانيا در آمريكا ، «نانو حافظه‌اي» توليد كرده‌اند كه قابليت ذخيره‌سازي اطلاعات را براي ‪ ۱۰۰‬هزار سال دارد.
به گزارش یرنا ، قدرت بازيافت اين قبيل حافظه‌ها نسبت به حافظه‌هاي رايج هزار برابر سريعتر است.
در اين گزارش آمده است: اين قبيل حافظه‌ها نسبت به فناوري‌هاي رايج مربوط به حافظه‌هاي رايانه‌اي داراي توان مصرفي پايين و فضاي كم جهت ذخيره‌سازي اطلاعات هستند.
"ريتش آگاروال" استاديار دانشكده مهندسي مواد دانشگاه پنسيلوانيا در آمريكا، نانوحافظه‌هاي خودآراي ژرمانيم - آنتيموان - تلوريد را توليد كردند كه اين مواد مي‌تواند تغيير فاز داده و بين ساختارهاي كريستالي و آمورف سوييچ شود.
بر اساس اين گزارش، اين تغيير فاز به عنوان كليد نوشتن و خواندن اطلاعات رايانه‌اي ست.
"آگاروال" گفت: نتايج اندازه‌گيري روي نانوحافظته‌ها را براي مقادير جرياني حالت نوشتن حافظه بررسي كرده است.
بررسي اين استاد دانشگاه نشان داد كه "سرعت نوشتن اطلاعات، پاك كردن و قدرت بازيابي اطلاعات نسبت به حافظه‌هاي معمولي موجود در بازار هزار برابر سريعتر صورت مي‌گيرد".
اين نوع حافظه‌هاي جديد پتانسيل ايجاد انقلابي در روش‌هاي سهم‌بندي، انتقال و حتي دانلود (‪ (Download‬كردن سرگرمي براي مصرف‌كنندگان را دارد.
فناوري‌هاي حالت جامد موجود براي توليد كارت‌هاي حافظه در دوربين‌هاي ديجيتال و نگهدارنده اطلاعات شخصي به طور موسوم از حافظه‌هاي فلش يا يك حافظه رايانه‌اي غير فرار و با دوام كه مي‌تواند به طور الكتريمي پاك و برنامه‌ريزي شود، استفاده مي‌كنند.
نتايج اين تحقيق در مجله "‪ "Nature Nanotechnology‬منتشر شده است.



برای مشاهده این لینک/عکس می بایست عضو شوید ! برای عضویت اینجا کلیک کنید