3rdoor
20-05-12, 15:44
Only the registered members can see the link
انجمن تخصصی فناوری سامسونگ (SAIT) قصد دارد با استفاده از گرافین (یکی از آلوتروپ‌های کربن) ساختار جدیدی برای ترانزیستورها بسازد تا به دستگاه‌های الکترونیکی امکان دهد از سرعت پردازش بالاتری برخوردار شوند، سرعتی که با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکنی فعلی، قابل دستیابی نیست.
در ساختار دستگاه‌های الکترونیکی فعلی از میلیاردها ترانزیستور سیلیکنی (مخصوصاً در تراشه‌های حافظه) استفاده شده است. چنانچه بتوان اندازه این ترانزیستورها (و در نتیجه فاصله بین آن‌ها) را کاهش داد یا از ماده‌ای استفاده کرد که رسانایی بهتری داشته باشد، می‌توان سرعت این نیمه‌هادی‌ها و سرانجام سرعت دستگاه را افزایش داد.
در طی ۴۰ سال گذشته همواره تلاش بر این بوده است که این کار با کاهش اندازه نیمه‌هادی‌ها انجام شود. اکنون به نظر می‌رسد که کار کاهش اندازه ترانزیستورها تا چندی دیگر با محدودیت روبرو شود. در این بین، استفاده از یک ماده رسانای بهتر، مانند گرافین، می‌تواند سرعت جابجایی الکترون‌ها را افزایش دهد و از این طریق، مشکلات را حل کند. این ماده امکان جابجایی بهتر الکترون‌ها را، تا ۲۰۰ برابر بیشتر از سیلیکن، فراهم می‌سازد. البته برخلاف سیلیکن، گرافین ماده‌ای نیمه‌فلزی است (نه نیمه‌رسانا) و نمی‌تواند جریان را قطع و وصل کند. تحقیقات قبلی سعی داشتند این ماده را به نوعی نیمه‌رسانا تبدیل کنند، ولی با این کار، قابلیت بالای آن در جابجایی الکترون‌ها کاهش می‌یافت. در این بین، محققان SAIT موفق شدند با استفاده از سیلیکن، ابزاری برای قطع‌کردن جریان در گرافین بسازند که بر روی رسانایی آن اثر نامطلوبی نداشته باشد. این ابزار Graphene Barristor نام دارد.
کارشناسان SAIT می‌گویند که ۹ حق امتیاز اصلی مربوط به ساختار و عملکرد Graphene Barristor را از آنِ خود ساخته‌اند و بزرگترین مشکل در زمینه استفاده از دستگاه‌های گرافینی را حل کرده‌اند. با توجه به این تحقیقات، به نظر می‌رسد که گرافین ماده تاثیرگذاری در فناوری‌های آینده باشد و راه را برای دستیابی به دستگاه‌های سریع‌تر هموار کند.
منبع :bestsmartgadgets (Only the registered members can see the link 1%d8%af%d9%86-%d9%85%d8%ad%d8%af%d9%88%d8%af%db%8c%d8%aa%e2%80%8 c%d9%87/)
انجمن تخصصی فناوری سامسونگ (SAIT) قصد دارد با استفاده از گرافین (یکی از آلوتروپ‌های کربن) ساختار جدیدی برای ترانزیستورها بسازد تا به دستگاه‌های الکترونیکی امکان دهد از سرعت پردازش بالاتری برخوردار شوند، سرعتی که با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکنی فعلی، قابل دستیابی نیست.
در ساختار دستگاه‌های الکترونیکی فعلی از میلیاردها ترانزیستور سیلیکنی (مخصوصاً در تراشه‌های حافظه) استفاده شده است. چنانچه بتوان اندازه این ترانزیستورها (و در نتیجه فاصله بین آن‌ها) را کاهش داد یا از ماده‌ای استفاده کرد که رسانایی بهتری داشته باشد، می‌توان سرعت این نیمه‌هادی‌ها و سرانجام سرعت دستگاه را افزایش داد.
در طی ۴۰ سال گذشته همواره تلاش بر این بوده است که این کار با کاهش اندازه نیمه‌هادی‌ها انجام شود. اکنون به نظر می‌رسد که کار کاهش اندازه ترانزیستورها تا چندی دیگر با محدودیت روبرو شود. در این بین، استفاده از یک ماده رسانای بهتر، مانند گرافین، می‌تواند سرعت جابجایی الکترون‌ها را افزایش دهد و از این طریق، مشکلات را حل کند. این ماده امکان جابجایی بهتر الکترون‌ها را، تا ۲۰۰ برابر بیشتر از سیلیکن، فراهم می‌سازد. البته برخلاف سیلیکن، گرافین ماده‌ای نیمه‌فلزی است (نه نیمه‌رسانا) و نمی‌تواند جریان را قطع و وصل کند. تحقیقات قبلی سعی داشتند این ماده را به نوعی نیمه‌رسانا تبدیل کنند، ولی با این کار، قابلیت بالای آن در جابجایی الکترون‌ها کاهش می‌یافت. در این بین، محققان SAIT موفق شدند با استفاده از سیلیکن، ابزاری برای قطع‌کردن جریان در گرافین بسازند که بر روی رسانایی آن اثر نامطلوبی نداشته باشد. این ابزار Graphene Barristor نام دارد.
کارشناسان SAIT می‌گویند که ۹ حق امتیاز اصلی مربوط به ساختار و عملکرد Graphene Barristor را از آنِ خود ساخته‌اند و بزرگترین مشکل در زمینه استفاده از دستگاه‌های گرافینی را حل کرده‌اند. با توجه به این تحقیقات، به نظر می‌رسد که گرافین ماده تاثیرگذاری در فناوری‌های آینده باشد و راه را برای دستیابی به دستگاه‌های سریع‌تر هموار کند.
منبع :bestsmartgadgets (Only the registered members can see the link 1%d8%af%d9%86-%d9%85%d8%ad%d8%af%d9%88%d8%af%db%8c%d8%aa%e2%80%8 c%d9%87/)