peji_2008
26-09-10, 12:48
نوسان بازار رم‌ها باعث شده تا مدل‌های حرفه‌ای بیشتر از پیش دیده شوند. رم‌های ارزان قیمت مرحله پرتلاطمی را پشت سر می‌گذارند که هجوم مدل‌های تقلبی یا برندهای نوظهور و ناشناخته، ریسک یک انتخاب صحیح را به شدت افزایش داده است. از دیگر سو دليل نوسان قیمت شدید این بخش از بازار سخت‌افزار عوامل حاشیه‌ای است. در این موقعیت تمایل خریداران به سمت رم‌های حرفه‌ای با قیمت بالاتر بیشتر شده است که نتیجه آن را می‌توان در تعدد مدل‌های پیشرفته با فرکانس‌های بالا مانند دو هزار مگاهرتز در پشت ویترین‌ها مشاهده کرد.
برند ADATA (ای‌دیتا) دومین تولیدکننده ماژول‌های حافظه در جهان است و حتی بسیاری از تولیدات این شرکت با نام برندهای دیگر وارد بازار می‌شود. این تولیدکننده تایوانی در حال حاضر فعالیت‌های جدیدي را در ایران آغاز کرده که علاوه بر ماژول‌های رم شامل هارددیسک‌های خارجی، هارددرایوهای SSD و فلش‌‌دیسک‌ها می‌شود. ماژول‌های رم به همراه درایوهای SSD این برند توسط شرکت انفورماتیک‌گستر ارایه می‌شوند.
کیت‌های چهار گیگابایتی ADATA در قالب دو ماژول دو گیگابایتی ارایه می‌شود. البته نمونه کاملا مشابه این کیت با سه ماژول نیز موجود است و تفاوتی میان مدل‌های چهار و شش گیگابایتی وجود ندارد. این ماژول‌ها در فرکانس 2000 مگاهرتز فعالیت می‌کنند که این فرکانس اغلب برای کاربردهای حرفه‌ای است و رم‌هایی که در این محدوده اجرا می‌شوند اغلب دارای سینک‌های خنک‌کننده و قطعات متفاوتی نسبت به مدل‌هایی با فرکانس پایین‌تر هستند. این فرکانس می‌تواند تا حدودی در اجرای بازی‌ها موثر باشد و شاید به همین دلیل این ماژول‌ها را در سری Gaming طبقه‌بندی کرده‌اند. زمان تاخیر این مدل نیز 9-9-9-24 است که اغلب رم‌ها در فرکانس دو هزار مگاهرتز نیز از این تایمینگ استفاده می‌کنند. البته در فرکانس‌های پایین‌تر می‌توان این زمان را کاهش داد ولی ممکن است روی پایداری سیستم موثر باشد. برای افزایش پایداری یکی از راه‌های موجود افزایش ولتاژ است که می‌تواند تا حدودی پایداری سیستم را افزایش دهد. در این تایمینگ و در فرکانس 2000 مگاهرتز می‌توان ولتاژ‌های 55/1 تا 75/1 ولت را به کار گرفت.
این رم‌ها در ولتاژ 65/1 ولت فعالیت می‌کنند. البته این ولتاژ برای فرکانس 2000 مگاهرتز است و در فرکانس‌های پایین‌تر می‌توان ولتاژ را کاهش داد که مادربورد به صورت خودکار این وظیفه را انجام می‌دهد. ولتاژ استاندارد برای رم‌های DDR3 معادل 5/1 ولت است که این ولتاژ در نسل قبل 8/1 ولت بود. با افزایش فرکانس رم‌ها از 1333 مگاهرتز به سمت 2000 مگاهرتز مقدار ولتاژ نیز متناسب با این فرکانس افزایش پیدا می‌کند.
در این ماژول‌ها از بوردهایی با دو اونس مس استفاده شده است که علاوه بر افزایش هدایت الکتریکی و کاهش میزان مقاومت در افزایش دفع حرارت نیز موثر هستند. از دیگر مواردی که در این رم‌ها دیده می‌شود اتصال مستقیم هر یک از تراشه‌ها به سینک خنک‌کننده است. در این شرایط به دلیل شارش حرارتی مستقیم گرما در سطح تراشه‌ها متمرکز نشده و به سینک منتقل می‌شود.
رم چیست!
عملکرد رم‌ها بسیار ساده است با این حال عوامل زیادی روی کیفیت این عملکرد موثر هستند که می‌توانند روی جایگاه حرفه‌ای این ماژول‌ها موثر باشند. در ساختار رم هر بیت به شکل مشخصی نشان داده می‌شود. اگر یک باشد خازن آن واحد پر از الکترون می‌شود و اگر صفر باشد این خازن خالی می‌ماند. به این ترتیب صفر و یک‌ها که تشکیل‌دهنده بیت‌ها هستند اینگونه مشخص می‌شوند. یکی از ابتدایی‌ترین مشکلاتی که ایجاد می‌شود در همین پر و خالی شدن خازن‌ها است که در چند هزارم ثانیه باید الکترون‌ها را منتقل کنند. ضمن اینکه یکی از موارد شایع در این خازن‌های بسیار کوچک بحث نشت الکترونی است که باعث خالی شدن این منابع و ارسال بیت اشتباه می‌شود. یکی از روش‌هایی که برای جلوگیری از کاهش کارایی رم به کار گرفته شده است به‌روزرسانی و شارژ همزمان است که در آن کنترلر رم سلول‌های موجود را از الکترون پر می‌کند تا نشت الکترونی تاثیری در ایجاد خطا نداشته باشد. این عمل هزاران بار در ثانیه انجام می‌شود.
مباحث مربوط به دو کانال و سه کانال از دیگر موارد مورد سوال هستند. این اصطلاحات معمولا به چیدمان رم اشاره دارد و مشخص می‌کنند در چه حالتی کارایی افزایش خواهد یافت. در حالت دو کانال که دو یا چهار ماژول حافظه روی مادربورد نصب شده است میزان پهنای باند رم دو برابر می‌شود و در این شرایط پهنای باند بیشتری در اختیار پردازنده قرار می‌گیرد. این افزایش پهنای باند تاثیر محسوسی روی عملکرد کلی سیستم دارد. با این حال در چینش دو کانال از 50 تا 60 درصد پهنای باند استفاده می‌شود که البته نسبت به حالت تک کانال بسیار بیشتر است و از رابط 128 بیتی (64 بیت برای هر کانال) استفاده مي‌شود.
در چینش سه کاناله تغییرات اساسی‌تری وجود دارد. اینتل در پردازنده‌هایی که بر اساس معماری نیهالم تولید شدند روش آدرس‌دهی را ارتقا داد و در این شرایط رابط رم به 192 بیت افزایش پیدا کرد. میزان پهنای باند نیز در چینش سه کانال بهبود پیدا کرده و تا 90 درصد از ظرفیت آن مورد استفاده قرار می‌گیرد. اما نکته‌ای که در این چینش موثر است توان بالای کنترلر رم در بهبود پهنای باند است. در مادربوردهایی که سه کانال هستند کنترلر می‌تواند تا 64 گیگابایت بر ثانیه داده‌ها را کنترل کند. در حالی که اکنون رم‌ها در شرایط تئوری فقط می‌توانند تا 32گیگابایت بر ثانیه از پهنای باند استفاده کنند که البته در شرایط عملی این مقدار کمتر خواهد بود.
یکی دیگر از مواردی که در انتخاب رم‌ها حائز اهمیت است مقدار تایمینگ یا زمان تاخیر آنها است. تایمینگ مدت زمانی است که دستور خواندن یا نوشتن اطلاعات به رم می‌رسد تا زمانی که این دستورات اجرا می‌شود. بدیهی است هرچقدر این زمان کوتاه‌تر باشد سرعت انتقال و کاربرد اطلاعات در رم بیشتر می‌شود. گاهی اوقات تایمینگ به صورت یک عدد بیان می‌شود که منظور از آن مقدار CAS است. این مقدار معرف تایمینگ نیست اما تا حدودی مشخص می‌کند که سایر اعداد به چه صورت خواهند بود.
زمان تاخیر از چهار عدد تشکیل شده که هر کدام نشان‌دهنده مقدار تاخیر در یک مرحله خاص هستند. توجه داشته باشید زمان تاخیر را می‌توان از طریق بایوس مادربورد کاهش داد. اما این اعداد با پایداری سیستم رابطه مستقیم دارند و هرچقدر آنها را کم کنید میزان پایداری نیز کاهش پیدا می‌کند. گاهی اوقات اورکلاکرها برای رسیدن به فرکانس‌های بالاتر مقدار تایمینگ را افزایش می‌دهند تا پایداری سیستم در فرکانس و ولتاژ بالا بیشتر شود.
منبع :Only the registered members can see the link
برند ADATA (ای‌دیتا) دومین تولیدکننده ماژول‌های حافظه در جهان است و حتی بسیاری از تولیدات این شرکت با نام برندهای دیگر وارد بازار می‌شود. این تولیدکننده تایوانی در حال حاضر فعالیت‌های جدیدي را در ایران آغاز کرده که علاوه بر ماژول‌های رم شامل هارددیسک‌های خارجی، هارددرایوهای SSD و فلش‌‌دیسک‌ها می‌شود. ماژول‌های رم به همراه درایوهای SSD این برند توسط شرکت انفورماتیک‌گستر ارایه می‌شوند.
کیت‌های چهار گیگابایتی ADATA در قالب دو ماژول دو گیگابایتی ارایه می‌شود. البته نمونه کاملا مشابه این کیت با سه ماژول نیز موجود است و تفاوتی میان مدل‌های چهار و شش گیگابایتی وجود ندارد. این ماژول‌ها در فرکانس 2000 مگاهرتز فعالیت می‌کنند که این فرکانس اغلب برای کاربردهای حرفه‌ای است و رم‌هایی که در این محدوده اجرا می‌شوند اغلب دارای سینک‌های خنک‌کننده و قطعات متفاوتی نسبت به مدل‌هایی با فرکانس پایین‌تر هستند. این فرکانس می‌تواند تا حدودی در اجرای بازی‌ها موثر باشد و شاید به همین دلیل این ماژول‌ها را در سری Gaming طبقه‌بندی کرده‌اند. زمان تاخیر این مدل نیز 9-9-9-24 است که اغلب رم‌ها در فرکانس دو هزار مگاهرتز نیز از این تایمینگ استفاده می‌کنند. البته در فرکانس‌های پایین‌تر می‌توان این زمان را کاهش داد ولی ممکن است روی پایداری سیستم موثر باشد. برای افزایش پایداری یکی از راه‌های موجود افزایش ولتاژ است که می‌تواند تا حدودی پایداری سیستم را افزایش دهد. در این تایمینگ و در فرکانس 2000 مگاهرتز می‌توان ولتاژ‌های 55/1 تا 75/1 ولت را به کار گرفت.
این رم‌ها در ولتاژ 65/1 ولت فعالیت می‌کنند. البته این ولتاژ برای فرکانس 2000 مگاهرتز است و در فرکانس‌های پایین‌تر می‌توان ولتاژ را کاهش داد که مادربورد به صورت خودکار این وظیفه را انجام می‌دهد. ولتاژ استاندارد برای رم‌های DDR3 معادل 5/1 ولت است که این ولتاژ در نسل قبل 8/1 ولت بود. با افزایش فرکانس رم‌ها از 1333 مگاهرتز به سمت 2000 مگاهرتز مقدار ولتاژ نیز متناسب با این فرکانس افزایش پیدا می‌کند.
در این ماژول‌ها از بوردهایی با دو اونس مس استفاده شده است که علاوه بر افزایش هدایت الکتریکی و کاهش میزان مقاومت در افزایش دفع حرارت نیز موثر هستند. از دیگر مواردی که در این رم‌ها دیده می‌شود اتصال مستقیم هر یک از تراشه‌ها به سینک خنک‌کننده است. در این شرایط به دلیل شارش حرارتی مستقیم گرما در سطح تراشه‌ها متمرکز نشده و به سینک منتقل می‌شود.
رم چیست!
عملکرد رم‌ها بسیار ساده است با این حال عوامل زیادی روی کیفیت این عملکرد موثر هستند که می‌توانند روی جایگاه حرفه‌ای این ماژول‌ها موثر باشند. در ساختار رم هر بیت به شکل مشخصی نشان داده می‌شود. اگر یک باشد خازن آن واحد پر از الکترون می‌شود و اگر صفر باشد این خازن خالی می‌ماند. به این ترتیب صفر و یک‌ها که تشکیل‌دهنده بیت‌ها هستند اینگونه مشخص می‌شوند. یکی از ابتدایی‌ترین مشکلاتی که ایجاد می‌شود در همین پر و خالی شدن خازن‌ها است که در چند هزارم ثانیه باید الکترون‌ها را منتقل کنند. ضمن اینکه یکی از موارد شایع در این خازن‌های بسیار کوچک بحث نشت الکترونی است که باعث خالی شدن این منابع و ارسال بیت اشتباه می‌شود. یکی از روش‌هایی که برای جلوگیری از کاهش کارایی رم به کار گرفته شده است به‌روزرسانی و شارژ همزمان است که در آن کنترلر رم سلول‌های موجود را از الکترون پر می‌کند تا نشت الکترونی تاثیری در ایجاد خطا نداشته باشد. این عمل هزاران بار در ثانیه انجام می‌شود.
مباحث مربوط به دو کانال و سه کانال از دیگر موارد مورد سوال هستند. این اصطلاحات معمولا به چیدمان رم اشاره دارد و مشخص می‌کنند در چه حالتی کارایی افزایش خواهد یافت. در حالت دو کانال که دو یا چهار ماژول حافظه روی مادربورد نصب شده است میزان پهنای باند رم دو برابر می‌شود و در این شرایط پهنای باند بیشتری در اختیار پردازنده قرار می‌گیرد. این افزایش پهنای باند تاثیر محسوسی روی عملکرد کلی سیستم دارد. با این حال در چینش دو کانال از 50 تا 60 درصد پهنای باند استفاده می‌شود که البته نسبت به حالت تک کانال بسیار بیشتر است و از رابط 128 بیتی (64 بیت برای هر کانال) استفاده مي‌شود.
در چینش سه کاناله تغییرات اساسی‌تری وجود دارد. اینتل در پردازنده‌هایی که بر اساس معماری نیهالم تولید شدند روش آدرس‌دهی را ارتقا داد و در این شرایط رابط رم به 192 بیت افزایش پیدا کرد. میزان پهنای باند نیز در چینش سه کانال بهبود پیدا کرده و تا 90 درصد از ظرفیت آن مورد استفاده قرار می‌گیرد. اما نکته‌ای که در این چینش موثر است توان بالای کنترلر رم در بهبود پهنای باند است. در مادربوردهایی که سه کانال هستند کنترلر می‌تواند تا 64 گیگابایت بر ثانیه داده‌ها را کنترل کند. در حالی که اکنون رم‌ها در شرایط تئوری فقط می‌توانند تا 32گیگابایت بر ثانیه از پهنای باند استفاده کنند که البته در شرایط عملی این مقدار کمتر خواهد بود.
یکی دیگر از مواردی که در انتخاب رم‌ها حائز اهمیت است مقدار تایمینگ یا زمان تاخیر آنها است. تایمینگ مدت زمانی است که دستور خواندن یا نوشتن اطلاعات به رم می‌رسد تا زمانی که این دستورات اجرا می‌شود. بدیهی است هرچقدر این زمان کوتاه‌تر باشد سرعت انتقال و کاربرد اطلاعات در رم بیشتر می‌شود. گاهی اوقات تایمینگ به صورت یک عدد بیان می‌شود که منظور از آن مقدار CAS است. این مقدار معرف تایمینگ نیست اما تا حدودی مشخص می‌کند که سایر اعداد به چه صورت خواهند بود.
زمان تاخیر از چهار عدد تشکیل شده که هر کدام نشان‌دهنده مقدار تاخیر در یک مرحله خاص هستند. توجه داشته باشید زمان تاخیر را می‌توان از طریق بایوس مادربورد کاهش داد. اما این اعداد با پایداری سیستم رابطه مستقیم دارند و هرچقدر آنها را کم کنید میزان پایداری نیز کاهش پیدا می‌کند. گاهی اوقات اورکلاکرها برای رسیدن به فرکانس‌های بالاتر مقدار تایمینگ را افزایش می‌دهند تا پایداری سیستم در فرکانس و ولتاژ بالا بیشتر شود.
منبع :Only the registered members can see the link