شرکت ژاپنی Elpida تولید کننده مطرح حافظه های DRAM از اغاز فروش رم های 4 گیگاباتی SO-DIMM با فرایند ساخت 30 نانومتری خبر داد . ماژول های حافظه ی جدید که در چند ماه اخیر طراحی شده بود از شانزده چیپست تراشه 2 گیگابیتی DDR3 SDRAM برای دستیابی به چنین ظرفیت بالا به ازای یک ماژول حافظه استفاده می کند .

در مقایسه با ماژول های رم 40 نانومتری شرکت الپیدا ، محصول جدید به 20% جریان الکتریسیته کمتر در زمان فعالیت و 30% جریان کمتر در زمان بی کاری نیاز دارد و این ماژول های حافظه را می توان یکی از کم مصف ترین محصولات موجود در این صنعت بر شمرد . این حافظه ی دوست دار محیط زیست با صرفه جویی در مصرف انرژی نقش فابل توجهی در افزایش عمر باطری برای نوت بوک ها ، تبلت ها ، روترهای شبکه و سایر تجهیزات مشابه ایفا می کند . همچنین ماژول حافظه ی جدید ، پهنای باند را تا 1866 مگابیت در ثانیه افزایش داده است که باعث افزایش کارایی و عملکرد در پلتفرم هایی خواهد شد که با پهنای باند بالایی همراه میشوند .

اگر چه الپیدا معماری محصولاتش را از 40 به 30 نانومتر تغییر داده اما با کاهش فرایند تولید ، هزینه ی تولید را نیز کاهش داده است . پس محصول جدید نه تنها برای افزایش کارایی بلکه برای کاهش هر چه بیشتر هزینه ی تولید حرف هایی برای گفتن در عرصه رقابت خواهد داشت. خاطر نشان می سازیم که تولید انبوه این سری رم های DDR3 SO-DIMM از فصل اول سال 2011 به جریان خواهد افتاد .