سامسونگ تولید انبوه نسل چهارم تراشه‌های حافظه V-NAND را آغاز کرد، سریع‌تر و بادوام‌تر

سامسونگ خبر از آغاز تولید انبوه جدیدترین نسل از تراشه های حافظه V-NAND این کمپانی داد. جدیدترین نسل چهارم تراشه های V-NAND سامسونگ از 64 لایه سلول حافظه تشکیل شده اند و دارای ظرفیت 256 گیگابیت (32 گیگابایت) هستند.

تراشه های 64 لایه ای 256 گیگابیتی V-NAND جدید سامسونگ دارای نرخ تبادل 1 گیگابیت بر ثانیه هستند که در میان تراشه های NAND فعلی بالاترین سرعت را دارند. همچنین این تراشه ها با نیاز به تنها 500 میکرو ثانیه زمان، سریعترین زمان نوشتن پیج (موسوم به tPROG) را دارند که حدود چهار برابر سریعتر از تراشه های 10 نانومتری معمولی رایج و نزدیک به 1.5 برابر سریعتر از تراشه های 48 لایه ای 256 گیگابیتی 3D TLC NAND خود سامسونگ (نسل فعلی) است. به ادعای سامسونگ با این معرفی بزرگ، حالا صنعت تراشه های NAND به جای مسابقه کوچک‌تر کردن فناوری ساخت، بر روی کارایی و پایایی بالا متمرکز می شود.

مزیت دیگر تراشه های 64 لایه ای در مقایسه با تراشه های 48 لایه ای فعلی، افزایش 30 درصدی فضای مفید SSD یا برد PCB از طریق کاهش اندازه تراشه است.

تراشه های 64 لایه ای جدید سامسونگ دارای ولتاژ ورودی 2.5 ولت هستند که در مقایسه با تراشه های 48 لایه فعلی سامسونگ با ولتاژ ورودی 3.3 ولت، حدود 30 درصد بهره وری از انرژی بالاتری دارند. همچنین به ادعای سامسونگ پایایی سلول های حافظه تراشه های V-NAND جدید این کمپانی حدود 20 درصد افزایش یافته است.

سامسونگ در نظر دارد تا پایان سال میلادی جاری بیش از 50 درصد تولید تراشه حافظه NAND خود را به تراشه های جدید 48 لایه ای اختصاص داد. انتظار می رود امسال سامسونگ SSDها، کارت های حافظه و وسایل ذخیره سازی اکسترنال جدید مجهز به تراشه های 64 لایه ای عرضه کند.

تراشه های جدید V-NAND سامسونگ از نوع TLC NAND هستند و هر سلول حافظه قادر به نگه داری سه بیت داده است. آنچه که سامسونگ فناوری انحصاری V-NAND می خواند، تراشه های سه بُعدی یا پشته سازی شده هستند که از چندین لایه سلول حافظه تشکیل شده اند.