کمپانی G.Skill امروز حافظههای رم DDR4 SO-DIMM جدیدی را معرفی کرد که بنابر ادعای آن، سریعترین حافظههای رم جهان در این نوع هستند.
نسل جدید از حافظههای رم DDR4 تولید و معرفی شده از سوی G.Skill دارای سرعت 4000 مگاهرتز هستند و با زمان تاخیر CL18-18-18-38 میتوانند در ظرفیتهای 32 گیگابایتی (متشکل از چهار حافظه 8 گیگابایتی) در دسترس کاربران قرار بگیرند. G.Skill اعلام کرده است که برای تولید این حافظههای رم، از آیسی های B-die DDR4 دست چین شده و با کیفیت کمپانی سامسونگ استفاده کرده است. این کمپانی همچنین اعلام کرده است که ترکیب این ظرفیت عالی و همچنین این فرکانس کاری و زمان تاخیر مناسب سبب شده است که این حافظهها قادر باشند عملکرد کلی سیستمهای دسکتاپ را به میزان زیادی افزایش دهند.
این کمپانی چندی پیش هم نسل جدیدی از حافظههای DDR4 خود را معرفی کرده بود که فرکانس کاری 3800 مگاهرتز و زمان تاخیر CL18-18-18-38 را فراهم میکرد و یکی از محصولات قدرتمند در رده خود محسوب میشد. از دیگر قابلیتهای مهم این نسل از حافظههای رم G.Skill میتوان به پشتیبانی از فناوری Intel XMP 2.0 اشاره کرد که امکان اورکلاک و دسترسی به سرعتهای کاری بالا در آنها را فراهم میکند. برای نشان دادن عملکرد مناسب این حافظههای رم، کمپانی سازنده آنها را با استفاده از مادربرد ASRock X299E-ITX/ac و همچنین پردازنده Core i9-7900X مورد تست و ارزیابی قرار داده است. تصاویر زیر مربوط به این تست است. برای بزرگتر شدن تصاویر میتوانید بر روی آنها کلیک کنید.
G.SKILL اعلام کرده است که از سه ماهه اول سال 2018 عرضه این حافظههای رم پرسرعت را آغاز میکند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت