در حال حاضر سامسونگ تنها شرکتی است که ساخت چیپ های بر پایه فناوری 10 نانومتری را به مرحله تولید انبوه رسانده است و رقیب اصلی این شرکت در این زمینه دو شرکت Intel و TMSC هستند. در حالی که این دو شرکت هنوز در حال طی مراحل آزمایشی هستند از مجموعه سامسونگ خبر می‌رسد که این شرکت در نظر دارد تا تولید نسل دوم این چیپ های بر پایه این فناوری را به زودی آغاز کند.

اینتل شرکتی است که رویکرد تیک تاک را تعریف کرد و در حالیکه این اواخر با تغییراتی در این ایدئولوژی روبرو بوده ایم، ساختار کاهش ابعاد ترانزیستور ها همچنان به راه خود ادامه می‌دهد. در همین زمینه روز گذشته سامسونگ رسماً اعلام کرده است که نسل دوم فناوری 10 نانومتری شرکت آماده تولید است و شرکت ظرفیت ساخت خود در این زمینه را افزایش داده است.

در حال حاضر دو چیپست رده بالای Snapdragon 835 و Exynos 8895 بر پایه فناوری 10 نانومتری LPE که مخفف عبارت Low Power Early است ساخته می‌شوند. نسل دوم تکنولوژی 10 نانومتری LPP یا Low Power Plus نامیده می‌شود که پیشرفت های ویژه ای به نسبت نسل قبلی و در ساختار 3D FinFET دارد.

 در این حالت بنابر اطلاعات منتشر شده میزان توان پردازشی تا 10 درصد افزایش و میزان توان مصرفی نیز تا 15 درصد کاهش خواهد یافت. در مورد محل استفاده از این تکنولوژی هم به احتمال فراوان نسخه بروز شده چیپست های Exynos و Snapdragon نیز با این فناوری ساخته خواهند شد.

سامسونگ در حال حاضر جدیدترین خط تولید تراشه های خود در هواسئونگ کره جنوبی را به تجهیزات ساخت جدیدی مجهز کرده است تا بتواند طبق برنامه ریزی اعلام شده تولید تراشه های با فناوری جدید را در سه ماهه انتهایی سال 2017 آغاز کند.

البته گذر از LPE به LPP چندان هم بی سابقه نیست و سامسونگ پیش از این در ساخت تراشه های 14 نانومتری خود چنین حرکتی را انجام داده بود. در زمان تولید تراشه های Exynos 7420 برای گوشی گلکسی اس 6 سامسونگ تصمیم گرفت در سال بعدی به سمت بهینه سازی LPP حرکت کند و نسل جدید تراشه های 14 نانومتری خود را برای ساخت تراشه های Exynos 8890 به کار گیرد و از آنها در گوشی های سامسونگ گلکسی اس 7 و اس 7 اج استفاده کند. همچنین کوالکام نیز در چیپست های Snapdragon 820 و 821 از فناوری LPP برای لیتوگرافی 14 نانومتری استفاده کرد که به تراشه اجازه می‌داد علاوه بر کاهش توان مصرفی به نسبت نسل قبلی خود، میزان توان پردازشی را هم بالاتر ببرد.

 

نظر خود را اضافه کنید.

ارسال نظر بدون عضویت در سایت

0

نظرات (9)

  • مهمان - Division

    گَند زدن سامسونگ در تولید تراشه‎ی A9 برای گوشی iPhone 6S رو دیدیم.
    تراشه‎ی تولید TSMC که 16 نانومتر بود عملکردِ بهتری نسبت تراشه‎ی 14 نانومتری سامسونگ داشت.
    شارژدهی تراشه‎ی TSMC هم بسیار بهتر از تراشه‎ی سامسونگ بود.
    سامسونگ سرِ همین مورد رُسوا شد، و اپل بعد از اون هم، تمام سفارش‎ها رو به TSMC می‎سپاره.

    ArsTechnica این موضوع رو بررسی کرده :
    https://arstechnica.com/apple/2015/10/samsung-vs-tsmc-comparing-the-battery-life-of-two-apple-a9s/

    در ضمن چگالیِ تراشه‎های 10 نانومتری اینتل بهترین چگالی در بین 10 نانومتری شرکت‎های دیگر هست :
    https://www.semiwiki.com/forum/content/3884-who-will-lead-10nm.html

    همون‎طور که نوشته‎شده، شاخصه‎های GP | GP Shrink | M1P | M1P Shrink | GP x M1P، نسبت‎به بقیّه‎یِ تولیدکنندگانِ نیمه‎هادی کم‎تر هست که این نشان از مرغوبیّت بالایِ لیتوگرافیِ اینتل داره.

    تکنولوژیِ اینتل نسبت‎به سایرِ تولیدکنندگان برتر هست. اینتل بزرگترین تولیدکننده‎یِ نیمه‎هادی هم محسوب می‎شه.

    ـ فقط یک‎عدّه که چیزی از تولیداتِ سلی******** نمی‎دونند، تراشه‎های سامسونگ رو با اینتل و TSMC مقایسه می‎کنند.

  • مهمان - milad

    در پاسخ به: مهمان - Division

    خدا بزرگه خوب میشی ...
    سامسونگ داره استفاده میکنه اونوقت اونا تازه دارن آزمایش میکنن ببینن جواب میده یا نه
    اگه گند زده غلط کردن دوباره اومدن سراغ سامسونگ...
    اگه گند بود اسنپ دراگون میداد همون درپیتیا براش درست میکردن

  • خخخ چگالی ۱۰ نانو اینتل بهتره خندیدیم اینتل هنوز حتی ۱۰ نانو رو نتونسته معرفی کنه از کجا فهمیدین بهتره برند بازی رو بزارین کنار و بشتابید به یوی حقیقت amd کبیر

  • مهمان - Division

    در پاسخ به: اسماعیل

    وقتی توان فهم این چیزها رو نداری، برای چی ریپلای می‎کنی؟!
    تو حتّی می‎دونی Metal Gate چی هست.

    اصلاً، چگالیِ تراشه رو نمی‎شه‎ از روی پردازنده تشخیص داد.
    بنابراین ربطی نداره که پردازنده‎ی 10 نانومتری توسّطِ اینتل، تولید شده باشه یا نشده باشه.

    اطّلاعاتی که در اون منبع ذکر شده، از تحقیقات و مطالعه‎ی مُهندسین، بر روی روش‎ها و فنّاوری‎های ساختِ اینتل به‎دست اومده.
    تمام تولیدکننده‎های نیمه‎هادی از جمله اینتل، اسنادی رو درباره‎ی لیتوگرافیِ خودِشون منتشر می‎کنند. از کَنکاش در اون اسناد می‎شه متوجّه شد که چگالیِ تراشه‎های هرکُدوم چه‎قدر هست و در شاخصه‎های مختلف در چه رُتبه‎ای قرار دارند.
    در اون سایت هم همین اَسناد، موردِ مُطالعه قرار گرفته.

    اینتل، علاوه‎بر 10 نانومتر در 14 نانومتر هم پیشتاز هست :
    https://www.extremetech.com/wp-content/uploads/2015/07/Intel-Features.jpg
    همون‎طور که مشخّص هست، Cell Area اینتل از همه کم‎تر هست.

    AMD فقط طرّاح هست، و به GlobalFoundries بُرون‎سِپاری می‎کنه.
    اینتل، هم طرّاح هست و هم تولیدکننده، و بزرگترین تولیدکننده‎ی نیمه‎هادی در جهان هست.
    https://www.statista.com/statistics/283359/top-20-semiconductor-companies/
    از سالِ 2014 تا 2016 روندِ تولیداتِ اینتل بیش‎تر هم شده.

    اگر AMD، هم طرّاح بود و هم تولیدکننده، تا الآن چند بار وَرشکست شده بود.

    هر وقت AMD تونست مثلِ اینتل، تولیدکننده باشه، اون‎وقت شماها اجازه‎ی حرف‎زدن دارید.

  • تو که ادعای سواد در این زمینه داری
    سوادتم چارتا لینک از سایتهای دیگه ست

    در مورد لیتوگرافی چی میدونی ؟
    چیپ اپل که اشاره کردی از اول برای 16 نانومتر طراحی و بهینه شد که قطعا وختی سامسونگ روی 14 نانومتر پیاده سازی کرد
    علیرغم بعضی اصلاحات بازم مشکل پیدا کرد ولی این مشکل قابل اغماض بود نه به گفته شما گند زدن ( یه کلاغ 40 کلاغ نکن )
    اپل خودش بهتر من از شما میفهمه
    به قول اون دوستمون اگه اینقد بد بود که شما میگی باز نمیومد سمت سامسونگ
    بعدشم اصلا تفاوت طراحی چیپ های موبایل با پیسی رو میدونی ؟
    اگه میدونستی در مورد چگالی در فشانی نمیکردی

  • تنها حرفی که میتونم برای دوستان بزنم اینه که منتظر انقلابی همچون رایزن برای وگا باشید این هم عملکرد وگا در برابر 1080ti هست
    دوستان به حرف من بعد از چند ماه خواهید رسید .
    Sell Your Titan X & 1080 TI

    http://cdn.wccftech.com/wp-content/uploads/2017/03/amd-deck-01.jpg

    ضمنا این رو هم به دوستان بگم تکنولوژی و نوآوریهای جدیدی رو وگا با خود به ارمغان خواهد آورد بخصوص در بحص فناوری ارتباط حافظه گرافیکی ارتقاء افزایش بهره وری دو برابری به ازاری هر واحد پردازشی همچون پردازنده رایزن نسبت به نسل قبل خود
    ارتقا مصرف توان 4 برابری نسبت به نسل قبل خود
    پهنای باند 2X در هر پین
    نسل بعد موتور محاسبه گرافیک انجین اینجا بگم نسل قبلی به اختصار GCN خوانده میشد
    https://uploads.disquscdn.com/images/57fd50663233f07743b0fb075981b9732223e684cb7248ada8e31bdb8c6a4776.jpg

    اطلاعات زیر قدرت و المانهای جدید وگا رو آشکار میکنه

    Vega Architecture Key Features

    – 4x Power Efficiency
    – 2x Peak Throughput/Performance Per Clock
    – High Bandwidth Cache
    – 2x Bandwidth per pin
    – 8x Capacity Per stack (2nd Generation High Bandwidth Memory)
    – 512TB Virtual Address Space
    – Next Generation Compute Engine
    – Next Generation Pixel Engine
    – Next Generation Compute Unit optimized for higher clock speeds
    – Rapid Packed Math
    – Draw Stream Binning Rasterizer
    – Primitive Shaders
    با یه غول بی شاخ و دوم طرف هستیم
    نظر شخص بنده اینه که انودیا نمیخواد مثل اینتل غافلگیر بشه و میخواد پیش دستی کنه که مبادا یه موقع اون بلاها سرش نیاد . واین جنبیدن و تقالاهای انودیا بی دلیل نیست چون اژدها در راه هست . ممنون اینا جمع بندی بنده بود .

  • پرچم سامی بالاست الان دارن با گلوبال فاندرشین همکاری میکنن ضمنا پردازنده شاهکار رایزن حاصل همکاری سامسونگ با گلوبال هست سری بعدی رایزن با تکنولوژی مشترک سامسونگ و گلوبال هست غلان اینتل تو دستیابی به ۱۰ نانو به بنبست رسیده هی داره تاخیر میخوره اینتل نون تبلیغات و کم آگاهی کاربرا رو میخوره

  • مهمان - سعید

    سامسونگ چون رقیبی مثل TSMC داره تلاش میکنه هر روز خودش رو بروز تر کنه ولی اینتل اصلا چنین انگیزه ای نداره

  • اینتل انگیزه هاش پوله و به این سادگی ها از خر مایه پایین نمیاد!

ورود به شهرسخت‌افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار
ورود به شهر سخت افزار

ثبت نام در شهر سخت افزار

نام و نام خانوادگی(*)
لطفا نام خود را وارد کنید

ایمیل(*)
لطفا ایمیل خود را به درستی وارد کنید

رمز عبور(*)
لطفا رمز عبور خود را وارد کنید

شماره موبایل
Invalid Input

جزو کدام دسته از اشخاص هستید؟(*)

لطفا یکی از موارد را انتخاب کنید