امروز کوالکام به صورت رسمی اعلام کرد که Snapdragon 835 را در نیمه اول سال آینده و با جدیدترین فناوری ساخت 10 نانومتری FinFET که در نوع خود کوچکترین و بهینه ترین فناوری ممکن الوصول ساخت تراشه هاست، خواهد ساخت.
بر اساس اعلام رسمی وبسایت این شرکت فناوری 10 نانومتری FinFET جدید تا 30 درصد فضای کمتری را در تولید تراشه اشغال خواهد کرد و 27 درصد کارآیی بیشتری خواهد داشت و می‌تواند تا 40 درصد بیشتر از نسل قبلی باعث کاهش مصرف انرژی شود. همچنین نحوه چینش پایه های ارتباطی تراشه (footprint) به شرکت ها اجازه خواهد داد تا بتوانند دستگاه های با ابعاد کوچکتری تولید کنند و در عین حال تراشه های دیگری را در پکیج های دستگاه های تولیدی خود جای دهند.
علاوه بر این بهبود های فیزیکی، این چیپست برای اولین بار فناروی شارژ سریع Quick Charge 4 را پیاده خواهد کرد که تا 20 درصد سریعتر و تا 30 درصد بازدهی بیشتری را به نسبت نسل قبلی خود یعنی Quick Charge 3 ارائه خواهد کرد. علاوه بر این ویژگی خوب دیگر چیپست پشتیبانی همزمان از درگاه USB Type-C و فناوری شارژ USB Power Delivery خواهد بود که می‌تواند در کنار فناوری Quick Charge 4 پشتیبانی هر چه بیشتر این چیسپت از روش های شارژ بی سیم را نتیجه دهد. همانطور که می‌دانید با استفاده از این فناوری می‌توان یکپارچگی بین روشهای شارژ را ایجاد کرد و دستگاه هایی مانند گوشی های پیکسل گوگل و یا لپتاپ های مک بوک پرو 2016 اپل ساخت که بتوانند با درگاه های USB Type-C خود و با سرعت و توان بیشتری به نسبت دستگاه های معمول قبلی، آنها را شارژ کرد.
Quick Charge 4 از فناوری نسل سوم INOV استفاده می‌کند که برای شارژ کردن دستگاه ها پیشرفته ترین در نوع خود است. این فناوری به دستگاه شارژر این امکان را می‌دهد که با توجه به میزان ظرفیت دستگاه شارژ شونده بتواند حداکثر جریان را در طول خط جاری کند و به این ترتیب آن را بالاترین سرعت ممکن مجاز که سلامت فرآیند شارژ را تضمین می‌کند، شارژ کند.
علاوه بر موارد فوق امروز کوالکام دو نوع تراشه جدید مدیریت توان به نام های SMB1380 و SMB1381 را معرفی کرد که با توجه به ویژگی های فنی که دارند می‌توانند باعث بهبود فرآیند شارژ باتری ها در عملیات شارژ سریع شوند.
نظر خود را اضافه کنید.
برای ارسال نظر وارد شوید
ارسال نظر بدون عضویت در سایت